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本发明公开了一种氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括沟道区，以及分别位于沟道区两侧，且与沟道区接触的源区和漏区，所述的沟道区、源区和漏区均为氘掺杂的金属氧化物。本发明的基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管以氘掺杂的金属氧化物作为沟...
该专利属于叶志;刘旸所有，仅供学习研究参考，未经过叶志;刘旸授权不得商用。

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