薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够有效降低薄膜晶体管边缘漏电流IOFF(edge)。该薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，所述有源层的侧面上设置有氧化硅层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管的漏电流IOFF过大是显示装置的一种常见缺陷，具体地，漏电流为薄膜晶体管处于关闭状态时，薄膜晶体管内部的电流，漏电流过大会造成像素电极显示灰度偏差、显示装置电能耗损变大等不利现象出现。因此，如何抑制漏电流成为本领域技术人员的一个重要研究方向。图1所示为现有技术中的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括依次设置的有源层1’、栅极绝缘层2’、栅极3’、层间绝缘层4’、源极5’和漏极6’。对于上述结构的薄膜晶体管而言，漏电流主要包括两部分：源极5’和漏极6’之间的薄膜晶体管主体漏电流IOFF(main)、栅极3’与源极5’之间的漏电流和栅极3’与漏极6’之间的漏电流组成的薄膜晶体管边缘漏电流IOFF(edge)。当有源层1’侧面的栅极绝缘层2’覆盖性不佳或栅极绝缘层2’较薄时，栅极3’与源极5’、栅极3’与漏极6’形成的寄生电容较大，导致薄膜晶体管边缘漏电r>流IOFF(ed本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述有源层的侧面上设置有氧化硅层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述
有源层的侧面上设置有氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化硅层的厚度
为3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括用于
与所述源极和所述漏极接触的欧姆接触区，以及位于所述欧姆接触区内侧的低
掺杂区。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极绝缘层和
层间绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层上方，所述栅极位于所述栅极绝
缘层上方，所述层间绝缘层位于所述栅极上方，所述源极和所述漏极位于所述
层间绝缘层上方，所述源极和所述漏极通过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层
的过孔与所述有源层电连接。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及如权利要求1-4任一项
所述的薄膜晶体管。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。
7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成包括有源层的图形；
在所述有源层的侧面上形成氧化硅层。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所
述有源层的侧面上形成氧化硅层，包括：
对所述有源层的侧面进行氧化工艺处理，以形成所述氧化硅层。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
所述在衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11