【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的无机聚硅氮烷树脂是所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上的无机聚硅氮烷树脂。这样的Si含量高的无机聚硅氮烷树脂例如可通过如下方法等方法来制造:将同时包含Si-NH和Si-Cl的无机聚硅氮烷化合物加热,使NH与Cl进行反应的方法;以及合成不残留Si-Cl键的硅氮烷低聚物(聚合物),向其中加入二卤代硅烷而进行热反应的方法。关于硅质膜,例如通过将含有前述无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物涂布于基板,进行干燥,然后在加热了的状态下与水蒸气接触而氧化或者与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触而氧化从而形成。【专利说明】无机聚娃氮院树脂
本专利技术涉及无机聚硅氮烷树脂,更具体涉及可良好地用于形成半导体元件等电子 设备等中的绝缘膜、钝化膜、平整化膜、保护膜、硬质掩膜、应力调整膜、牺牲膜等的无机聚 硅氮烷树脂。另外,本专利技术涉及含有该无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物、使用该无机聚硅氮 烷树脂而形成硅质膜的方法以及通过该方法形成的硅质膜。
技术介绍
聚硅氮烷作为可用作氮化硅前体的化合物而广泛为人所知(例如参照专利文献 1)。另外,近年来,作为半导体装置等电子设备中的层间绝缘膜等的绝缘膜、钝化膜、保护 膜、平整化膜等的形成材料,也受到人们的关注,这些膜按照下述方式形成:将包含聚硅氮 烷的涂布液涂布于适当的基材上,然后进行焙烧,将聚硅氮烷转化为硅质膜(例如参照专 利文献2?5)。 另外,在半导体装置那样的电子设备中,半导体元件例如晶体管、电阻以及其它元 件配置在基板上,为了将这些元件绝缘、分离,使用聚硅氮烷在元件之间形成由绝缘膜 ...
【技术保护点】
一种无机聚硅氮烷树脂,其特征在于,所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤原嵩士,R·格罗特穆勒,神田崇,长原达郎,
申请(专利权)人:AZ电子材料卢森堡有限公司,
类型:发明
国别省市:卢森堡;LU
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