多层陶瓷电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法，所述电容器包括：具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接第一侧表面和第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体，在陶瓷主体中形成并且具有其一个末端暴露于第三末端表面或第四末端表面的多个内部电极，和形成的第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，使得从第一侧表面和第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小。本发明专利技术的电容器具有高可靠性和高电容以及提高的耐湿特性。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2013年4月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0038321的优先权，其内容通过参考并入本文。
本专利技术涉及一种多层陶瓷电容器及其制造方法，更具体地，本专利技术涉及一种具有优良的可靠性的高电容多层陶瓷电容器及其制造方法。
技术介绍
通常，使用陶瓷材料的电子部件(例如电容器、感应器、压电元件、变阻器、热敏电阻器等)包括由陶瓷材料制成的陶瓷主体、在陶瓷主体中形成的内部电极和在陶瓷主体的外表面上安装以与内部电极连接的外部电极。在陶瓷电子部件中，多层陶瓷电容器包括多个堆叠的介电层、其间具有介电层的彼此面对设置的内部电极和与内部电极电连接的外部电极。由于其优点(例如小尺寸、高电容、容易安装等)，多层陶瓷电容器广泛用作移动通讯设备中的部件，例如笔记本电脑、个人数字助理(PDAs)、移动电话等。近来，由于电子产品已微型化和多功能化，芯片部件也倾向于微型化和多功能化。结果是，需要使多层陶瓷电容器微型化并提高其电容。为了提高多层陶瓷电容器的电容，已考虑使其介电层变薄、堆叠变薄的介电层和改进内部电极的覆盖度的方法。此外，已考虑改进用于形成电容的重叠的内部电极的面积的方法。总的来说，如下制造多层陶瓷电容器。首先，制备陶瓷生片，并在陶瓷生片上印刷传导糊膏，以形成内部电极。具有在其上形成的内部电极的陶瓷生片以几十层至几百层的量堆叠，以制造生陶瓷多层主体。随后，在高温和高压的条件下压制生陶瓷多层主体，以制造硬的生陶瓷多层主体，并在陶瓷多层主体上实施切割过程，以制造生芯片。接着，将生芯片煅烧和烧结，在其上形成外部电极，以完成多层陶瓷电容器。在通过上述制造方法制造多层陶瓷电容器的情况下，由于难以显著降低在其上不形成内部电极的介电层的边缘部分区域，在增加内部电极的重叠面积方面存在限制。此外，由于形成的多层陶瓷电容器的边缘的边缘部分比在其它区域中的边缘部分厚，在煅烧和烧结时不容易从中除去碳。为了解决上述限制，已考虑一种方法，其中在前面制造的陶瓷多层主体中形成在其上不形成内部电极的边缘部分区域，但是，该方法具有缺陷，在于由于在陶瓷多层主体和边缘部分之间的非压缩区域，陶瓷多层主体具有降低的耐湿特性并且不耐冲击。以下相关的技术文件变化地控制构成电容部分的介电晶粒的平均晶粒尺寸和构成特定的电容部分的介电晶粒的平均晶粒尺寸，但是未解决上述缺陷。[相关的技术文件](专利文件1)WO2003-017356
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种具有优良的可靠性的高电容多层陶瓷电容器及其制造方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种多层陶瓷电容器，所述电容器包括：具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接第一侧表面和第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体；在陶瓷主体中形成并且具有其一个末端暴露于第三末端表面或第四末端表面的多个内部电极；和形成的第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，使得从第一侧表面和第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小，并且其中，陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层，并且当在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw，在覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt，和在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时，满足Gw＜Gt＜Ga。在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw可为100-120nm。在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga可为150-160nm。第一侧边缘部分和第二侧边缘部分可由陶瓷浆料形成。内部电极可包括第一内部电极和第二内部电极，第一内部电极具有一个末端暴露于第三末端表面，而形成另一个末端使得与第四末端表面具有预定的间隔，第二内部电极具有一个末端暴露于第四末端表面，而形成另一个末端使得与第三末端表面具有预定的间隔。根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造多层陶瓷电容器的方法，该方法包括：通过使用含有第一陶瓷介电粉末的第一陶瓷浆料形成多个陶瓷生片；在各自的陶瓷生片上印刷第一内部电极图案或第二内部电极图案；堆叠多个陶瓷生片，使得第一内部电极图案和第二内部电极图案交替堆叠，以形成有助于电容形成的有效层，并在所述有效层的上部和下部的至少一个上，堆叠通过使用含有第二陶瓷介电粉末的第二陶瓷浆料形成的陶瓷生片，以形成覆盖层，第二陶瓷介电粉末的晶粒尺寸小于第一陶瓷介电粉末的晶粒尺寸，从而制备具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接第一侧表面和第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体；和通过向各自的第一侧表面和第二侧表面施用含有第三陶瓷介电粉末的第三陶瓷浆料，形成第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，第三陶瓷介电粉末的晶粒尺寸小于第二陶瓷介电粉末的晶粒尺寸。当在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw，在覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt，和在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时，可满足Gw＜Gt＜Ga。在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw可为100-120nm。在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga可为150-160nm。多个陶瓷生片、第一侧边缘部分和第二侧边缘部分可在800-1200℃温度下烧结。所述方法还可包括形成第一外部电极和第二外部电极，第一外部电极和第二外部电极分别与暴露于第三末端表面的第一内部电极图案和暴露于第四末端表面的第二内部电极图案连接。第一侧边缘部分和第二侧边缘部分的平均厚度可为18μm或更小。附图说明结合附图，由以下详细说明，可以更清楚地理解本专利技术的以上和其它方面、特征和其它优点，其中：图1为显示根据本专利技术的一种实施方式的多层陶瓷电容器的示意性透视图；图2为沿着图1的线B-B’的横截面图；图3为图2的区域Q的放大图；图4为沿着图1的线A-A’的横截面图，和图5为显示构成示于图1的多层陶瓷电容器的一个介电层的上平面图；和图6A至图6F为示意性显示根据本专利技术的一种实施方式制造多层陶瓷电容器的方法的横截面图和透视图。具体实施方式下文中，将参考附图来详细描述本专利技术的实施方式。然而，本专利技术可以许多不同的形式体现，并且不应看作是局限于本文描述的实施方式。而是，提供这些实施方式，使得本公开充分和完整，并且将向本领域技术人员充分传达本专利技术的范围。在附图中，为了清楚，可能夸大元件的形状和尺寸，并且从始至终使用相同的附图标记来指示相同的或类似的元件。图1为显示根据本专利技术的一种实施方式的多层陶瓷电容器的示意性透视图。图2为沿着图1的线B-B’的横截面图。图3为图2的区域Q的放大图。图4为沿着图1的线A-A’的横截面图，和图5为显示构成示于图1的多层陶瓷电容器的一个介电层的上平面图。参考图1至图5，根据本专利技术的实施方式的多层陶瓷电容器可包括陶瓷主体110；在陶瓷主体中形成的多个内部电极121和122；和在陶瓷主体的外表面上形成的外部电极131和132。陶瓷主体110可具有彼此相对的第一侧表面1和第二侧表面2以及将第一侧表面和第二侧表面彼此连接的第三末端表面3和第四末端表面4。从形状的角度，不特别限制陶瓷主体110，但是通常可具有长方体形状。在陶瓷主体110中形成的多个内部电极121本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器，所述电容器包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面；多个内部电极，所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成，并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面；和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小，和其中，所述陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层，并且当在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw，在所述覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt，和在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时，满足Gw＜Gt＜Ga。

【技术特征摘要】
2013.04.08 KR 10-2013-00383211.一种多层陶瓷电容器，所述电容器包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面；多个内部电极，所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成，并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面；和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小，和其中，所述陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层，并且当在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw，在所述覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt，和在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时，满足Gw＜Gt＜Ga，在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw为100-120nm，以及在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga为150-160nm。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内部电极包括第一内部电极和第二内部电极，所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面，而形成另一个末端使得与所述第四末端表面具有预定的间隔，所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面，而形成另一个末端使得与所述第三末端表面具有预定的间隔。4.一种制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：通过使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨俊，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR