阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及显示装置，其中阵列基板包括位于薄膜晶体管上的第一材料层，第一材料层内具有第一过孔；位于第一材料层上的导电夹层，导电夹层通过第一过孔与薄膜晶体管的漏极电性相连；位于导电夹层上的第二材料层，第二材料层上具有与第一过孔相互错开的第二过孔，像素电极位于第二材料层上，导电夹层通过第二过孔与像素电极电性相连，以与公共电极形成存储电容；其中，第一材料层中位于阵列基板的开口区域内的部分的材料和第二材料层中位于开口区域内的部分的材料均为彩色光阻。本发明专利技术所提供的阵列基板及显示装置，增大了存储电容，提高了显示稳定性、像素开口率和显示质量。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
COA (Color-filter on Array)技术是将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种 集成技术，能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显 著提升显示开口率。 现有技术中采用C0A技术的阵列基板的结构可如图1所示，包括：基板101、栅极 线层（包括栅极线、栅极102、公共电极）、栅极绝缘层103、半导体层104、数据线层（包括数 据线、源极105和漏极106)、绝缘层107、彩色滤光层108、遮光层109和像素电极110。其 中，彩色滤光层108的材料为彩色光阻，公共电极（图中未示出）位于彩色滤光层108的下 方，与像素电极110相对，以形成存储电容；像素电极110通过过孔与漏极106电性相连。 由于电容的大小与形成电容的两极板之间的间距成反比，而彩色滤光层108通常 要求设置的厚度较厚，因此现有技术中集成有彩色滤光层108的阵列基板的像素电极110 与公共电极之间的间距较大，导致存储电容降低，无法满足显示周期中漏电流的需求，降低 显示的稳定性。 并且，由于像素电极110与漏极106电性相连的过孔需要穿过厚的彩色滤光层 108,因此过孔深度极大，过孔形貌较难控制，极易造成过孔的孔径比过大，进而引起像素开 口率减小。另一方面，较深的过孔的内壁坡度角过陡，极易造成搭载于其上的像素电极110 断裂，降低显示质量。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及显示装置，以提高采用C0A技术的阵列基板的显示稳 定性、开口率和显示质量。 为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案： -种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极和公共电极，还包括：位于所述薄膜 晶体管上的第一材料层，所述第一材料层内具有第一过孔；位于所述第一材料层上的导电 夹层，所述导电夹层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性相连；位于所述导电 夹层上的第二材料层，所述第二材料层上具有与所述第一过孔相互错开的第二过孔，所述 像素电极位于所述第二材料层上，所述导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相 连，以与所述公共电极形成存储电容；其中，所述第一材料层中位于所述阵列基板的开口区 域内的部分的材料和所述第二材料层中位于所述开口区域内的部分的材料均为彩色光阻。 优选的，所述导电夹层的材料为透明导电材料。 优选的，所述第二过孔位于所述第二材料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分内；或 者，所述第二过孔位于所述第二材料层中覆盖所述公共电极的部分内。 优选的，所述第一材料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分的材料和/或所述第二材 料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分的材料为遮光材料。 优选的，所述第一材料层中覆盖所述公共电极的部分的材料和/或所述第二材料 层中覆盖所述公共电极的部分的材料为遮光材料。 本专利技术还提供了一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极和用于提供公共电极 电压的元件，还包括：位于所述薄膜晶体管上的第一材料层，所述第一材料层内具有第一过 孔；位于所述第一材料层上绝缘设置的第一导电夹层和第二导电夹层，所述第一导电夹层 通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性相连，所述第二导电夹层与所述用于提供 公共电极电压的兀件电性相连；位于所述第一导电夹层和所述第二导电夹层上的第二材料 层，所述第二材料层上具有与所述第一过孔相互错开的第二过孔，所述像素电极位于所述 第二材料层上，所述第一导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连，以使所述 像素电极与所述第二导电夹层形成存储电容，或者，所述第二导电夹层通过所述第二过孔 与所述像素电极电性相连，以使所述像素电极与所述第一导电夹层形成存储电容；其中，所 述第一材料层中位于所述阵列基板的开口区域内的部分的材料和所述第二材料层中位于 所述开口区域内的部分的材料均为彩色光阻。 优选的，所述像素电极为一整片的薄膜；或者，所述像素电极包括多个并排的条形 电极。 优选的，所述第一材料层内还具有第三过孔，所述第二导电夹层通过所述第三过 孔与所述用于提供公共电极电压的元件电性相连。 优选的，所述用于提供公共电极电压的元件为公共电极，所述第三过孔位于所述 第一材料层中覆盖所述公共电极的部分内。 优选的，当所述第二导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连时，所 述第二过孔位于所述第二材料层中覆盖所述公共电极的部分内。 优选的，所述第一材料层中覆盖所述公共电极的部分的材料和/或所述第二材料 层中覆盖所述公共电极的部分的材料为遮光材料。 优选的，所述用于提供公共电极电压的元件为所述阵列基板的外围信号走线，所 述第三过孔位于所述第一材料层中覆盖所述外围信号走线的部分内。 优选的，所述用于提供公共电极电压的元件与所述薄膜晶体管的栅极同层形成， 所述第三过孔的深度大于所述第一材料层的厚度。 优选的，所述用于提供公共电极电压的元件包括：与所述薄膜晶体管的栅极同层 形成的第一部分，和与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层形成的第二部分，所述第三过孔 的深度小于所述第一材料层的厚度。 优选的，所述第一导电夹层和所述第二导电夹层的材料为透明导电材料。 优选的，当所述第一导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连时，所 述第二过孔位于所述第二材料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分内。 优选的，所述第一材料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分的材料和/或所述第二材 料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分的材料为遮光材料。 本专利技术还提供了一种显示装置，包括以上任一项所述的阵列基板。 本专利技术所提供的阵列基板及显示装置，通过将彩色滤光层分成两层（第一材料层 和第二材料层），在二者之间形成导电夹层，并分别在两层中形成相互错开的过孔，导电夹 层通过过孔与形成存储电容的电极（像素电极和公共电极）电连接，从而使导电夹层成为 形成存储电容的电极。由于导电夹层位于彩色滤光层的中间，因此形成存储电容的两极板 之间的距离相对于现有技术减小，从而存储电容增大，能够满足显示周期中漏电流的需求， 提高了装置画面显示的稳定性；并且，本专利技术中用于电连接的过孔位于第一材料层或第二 材料层内，相当于将现有技术中穿透整个彩色滤光层的过孔分成两个深度较小的过孔形 成，使得过孔的孔径比不至于过大，提高了像素开口率，同时搭载于过孔上的像素电极不易 断裂，从而提高了装置画面的显示质量。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其它的附图。 图1为现有技术中采用C0A技术的阵列基板的结构图； 图2为现有技术中采用C0A技术的FFS型阵列基板的结构图； 图3为本专利技术实施例一所提供的一种阵列基板的结构图； 图4为本专利技术实施例一所提供的另一种阵列基板的结构图； 图5?图9为图3所示出的阵列基板的制作步骤图； 图10为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极和公共电极，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管上的第一材料层，所述第一材料层内具有第一过孔；位于所述第一材料层上的导电夹层，所述导电夹层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性相连；位于所述导电夹层上的第二材料层，所述第二材料层上具有与所述第一过孔相互错开的第二过孔，所述像素电极位于所述第二材料层上，所述导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连，以与所述公共电极形成存储电容；其中，所述第一材料层中位于所述阵列基板的开口区域内的部分的材料和所述第二材料层中位于所述开口区域内的部分的材料均为彩色光阻。

【技术特征摘要】
1. 一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极和公共电极，其特征在于，还包括： 位于所述薄膜晶体管上的第一材料层，所述第一材料层内具有第一过孔； 位于所述第一材料层上的导电夹层，所述导电夹层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体 管的漏极电性相连； 位于所述导电夹层上的第二材料层，所述第二材料层上具有与所述第一过孔相互错开 的第二过孔，所述像素电极位于所述第二材料层上，所述导电夹层通过所述第二过孔与所 述像素电极电性相连，以与所述公共电极形成存储电容； 其中，所述第一材料层中位于所述阵列基板的开口区域内的部分的材料和所述第二材 料层中位于所述开口区域内的部分的材料均为彩色光阻。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电夹层的材料为透明导电材 料。3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔位于所述第二材料层 中覆盖所述薄膜晶体管的部分内；或者， 所述第二过孔位于所述第二材料层中覆盖所述公共电极的部分内。4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一材料层中覆盖所述薄膜晶 体管的部分的材料和/或所述第二材料层中覆盖所述薄膜晶体管的部分的材料为遮光材 料。5. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一材料层中覆盖所述公共电 极的部分的材料和/或所述第二材料层中覆盖所述公共电极的部分的材料为遮光材料。6. -种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极和用于提供公共电极电压的元件，其特 征在于，还包括： 位于所述薄膜晶体管上的第一材料层，所述第一材料层内具有第一过孔； 位于所述第一材料层上绝缘设置的第一导电夹层和第二导电夹层，所述第一导电夹层 通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性相连，所述第二导电夹层与所述用于提供 公共电极电压的元件电性相连； 位于所述第一导电夹层和所述第二导电夹层上的第二材料层，所述第二材料层上具有 与所述第一过孔相互错开的第二过孔，所述像素电极位于所述第二材料层上；所述第一导 电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连，以使所述像素电极与所述第二导电夹 层形成存储电容；或者，所述第二导电夹层通过所述第二过孔与所述像素电极电性相连，以 使所述像素电极与所述第一导电夹层形成存储电容； 其中，所述第一材料层中位于所述阵列基板的开...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11