本发明专利技术提供一种像素结构，其中，所述像素结构包括：多条数据线，所述多条数据线沿第一方向并排排列；多条栅极线，所述多条栅极线沿第二方向并排排列；所述多条数据线和所述多条栅极线交叉限定多个子像素，所述每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素行和第二子像素行，所述第一子像素行和所述第二子像素行间隔排列；所述第一子像素行的每个子像素由相邻的第二条数据线提供信号；所述第二子像素行的每个子像素由相邻的第一条数据线提供信号。本发明专利技术提供的像素结构可以在输入较为简单的信号的情况下，实现像素阵列的点反转，同时，在一些实施例中，还可以实现同一数据线连接同一颜色的子像素。
【技术实现步骤摘要】
一种像素结构、液晶显示阵列基板及液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其是涉及一种用于液晶显示的像素结构。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)已经广泛应用于我们生活的各个方面，从小尺寸的手机、摄像机、数码相机，中尺寸的笔记本电脑、台式机，大尺寸的家用电视到大型投影设备等，薄膜晶体管LCD在轻、薄优势的基础上，加上完美的画面及快速的响应特性，确保其在显示器市场上独占鳌头。像素结构是薄膜晶体管LCD的核心部分之一，像素结构直接影响到液晶显示器的开口率、响应速度、显示画面质量等方面，目前对于液晶显示器的像素结构的研究已经比较成熟，但还有许多可以改进的方面。液晶显示的驱动必须要有极性反转，施加在液晶分子上的电场是有方向性的，若在不同的时间，以相反方向的电场施加在液晶上，即称为极性反转，极性反转是为了避免液晶的直流残留。常见的像素阵列极性反转的方式有帧反转、列反转、行反转和点反转四种。由于在同一行上的像素电压是在相同时间经由不同的数据线写入，而同一列上的像素电压是经由相同的数据线在不同的时间写入，因此行反转和点反转需要每一行输入时数据线上的信号都要进行正负电位差的变换，因此功耗很大，且数据信号还较为复杂。而列反转不需要在每一行输入时都变换数据信号的正负电位差，因此，功耗较小。但点反转的优点在于，点反转在解决液晶的直流残留的同时，带来的闪烁现象在各种反转方式中相对较弱，因此，点反转的图像显示效果最好，同时，相邻的像素使用不同的极性反转方式，还有助于消除交叉串扰，这里的交叉串扰是由于相邻像素具有相似电压极性而引起的误显示。改变液晶显示器的像素结构，可以实现在低功耗的条件下实现点反转，获得更好的显示效果。子像素的排布也是影响显示效果的一个重要因素，目前的显示器中主要采用红、绿、蓝三种颜色的子像素排布，有些也采用红、绿、蓝、白四种颜色的子像素排布，且在排布顺序上还有很多的变化，对于那种同一列子像素的颜色不相同的情况，在对这种子像素排布的显示屏幕进行目视检查时，会出现无法显示单色画面的现象，造成检查困难。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种像素结构、显示阵列基板及显示面板。一种像素结构，其中，所述像素结构包括：多条数据线，所述多条数据线沿第一方向并排排列；多条栅极线，所述多条栅极线沿第二方向并排排列；所述多条数据线和所述多条栅极线交叉限定多个子像素，所述每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素行和第二子像素行，所述第一子像素行和所述第二子像素行间隔排列；所述第一子像素行的每个子像素由相邻的第二条数据线提供信号；所述第二子像素行的每个子像素由相邻的第一条数据线提供信号。一种液晶显示阵列基板，包括如上所述的像素结构。以及一种液晶显示面板，包括如上所述的液晶显示阵列基板。本专利技术提供的像素结构、液晶显示阵列基板及液晶显示面板，可以利用较为简易的信号实现点反转的效果，或者可达到功耗低的优点。附图说明图1(a)为本专利技术实施例一提供的像素结构的示意图；图1(b)为本专利技术实施例一的第一种实施方式极性反转示意图；图2为本专利技术实施例一的第二种实施方式极性反转示意图；图3为本专利技术实施例一的第三种实施方式极性反转示意图；图4为本专利技术实施例一的第四种实施方式极性反转示意图；图5(a)为本专利技术实施例二的第一种实施方式的像素结构的示意图；图5(b)为本专利技术实施例二的第二种实施方式的像素结构的示意图；图5(c)为本专利技术实施例二的第三种实施方式的像素结构的示意图；图5(d)为本专利技术实施例二的第三种实施方式的像素结构的示意图；图6(a)为本专利技术实施例三提供的像素结构示意图；图6(b)为本专利技术实施例三的另一实施方式的像素结构的示意图；图6(c)为本专利技术实施例三的再一实施方式的像素结构的示意图；图7为本专利技术实施例四提供的像素结构的示意图；图8为本专利技术实施例五提供的像素结构示意图；图9(a)为本专利技术实施例六的第一种实施方式提供的像素结构的示意图；图9(b)为本专利技术实施例六的第二种实施方式的像素结构的示意图；图9(c)为本专利技术实施例六的第三种实施方式的像素结构的示意图；图9(d)为本专利技术实施例六的第四种实施方式的像素结构的示意图；图10(a)为本专利技术实施例七提供的像素结构的示意图；图10(b)为本专利技术实施例七的另一种实施方式的像素结构的示意图。具体实施方式为了更容易了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图示说明如下，但是以下附图和具体实施方式并不是对本专利技术的限制，任何所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。图1(a)为本专利技术实施例一提供的像素结构的示意图，请参考图1(a)，本专利技术实施例一所提供的像素结构包括：多条数据线，比如数据线101、102、103、104、105、106、107，所述多条数据线沿第一方向并排排列；多条栅极线，比如多条栅极线150，所述多条栅极线150沿第二方向并排排列；所述多条数据线101、102、103、104、105、106、107和所述多条栅极线150交叉限定多个子像素，所述每个子像素包括薄膜晶体管140和像素电极130。所述多个子像素包括第一子像素行110和第二子像素行120，所述第一子像素行110和所述第二子像素行120间隔排列。所述第一子像素行110的每个子像素由相邻的第二条数据线提供信号；所述第二子像素行120的每个子像素由相邻的第一条数据线提供信号。本专利技术实施例中的第一子像素行110和第二子像素行120并不限定第一子像素行110在上，第二子像素行120在下，第一子像素行110和第二子像素行120的顺序可以调换。为了便于识别，以下将第一子像素行中的每个子像素称作第一子像素，具体地，图1(a)示出的第一子像素行110包括第一子像素111、112、113、114、115和116，每个第一子像素由右侧相邻的第二条数据线提供信号。例如，对于第一子像素111，数据线102为其右侧第一条数据线，而数据线103为其右侧相邻的第二条数据线，数据线103为第一子像素111提供信号。对于第一子像素113，数据线105是它右侧相邻的第二条数据线，数据线105为第一子像素113提供信号。。对于第一子像素113，数据线102是第一子像素113左侧相邻的第二条数据线，在本专利技术实施例一的其它实施方式中，可以由数据线102为第一子像素113提供信号，也就是说，其他实施方式中，可以由第一子像素左侧相邻的第二条数据线为其提供信号。为了便于识别，以下将第二子像素行中的每个子像素称作第二子像素。图1(a)示出的第二子像素行120包括第二子像素121、122、123、124、125和126，每个第二子像素由左侧相邻的第一条数据线提供信号。例如，对于第二子像素121，数据线101为其左侧相邻的第一条数据线，数据线101为第二子像素121提供信号。对于第二子像素121，数据线102是第二子像素121右侧相邻的第一条数据线，在本专利技术实施例一的其它实施方式中，可以由数据线102为第二子像素121提供信号，也就是说，其他实施方式中，可以由第二子像素右侧相邻的第一条数据线为其提供信号。当然，本专利技术实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：多条数据线，所述多条数据线沿第一方向并排排列；多条栅极线，所述多条栅极线沿第二方向并排排列；所述多条数据线和所述多条栅极线交叉限定多个子像素，所述每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素行和第二子像素行，所述第一子像素行和所述第二子像素行间隔排列；所述第一子像素行的每个子像素由相邻的第二条数据线提供信号；所述第二子像素行的每个子像素由相邻的第一条数据线提供信号。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：多条数据线，所述多条数据线沿第一方向并排排列；多条栅极线，所述多条栅极线沿第二方向并排排列；所述多条数据线和所述多条栅极线交叉限定多个子像素，每个所述子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素行和第二子像素行，所述第一子像素行和所述第二子像素行间隔排列；所述第一子像素行的每个子像素由所述每个子像素的同一侧的与所述子像素相邻的第二条数据线提供信号；所述第二子像素行的每个子像素由所述每个子像素的同一侧的与所述子像素相邻的第一条数据线提供信号。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在第一子像素行中，每个所述子像素由该子像素左侧相邻的第二条数据线提供信号；或者，在第一子像素行中，每个所述子像素由该子像素右侧相邻的第二条数据线提供信号。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在第二子像素行中，每个所述子像素由该子像素左侧相邻的第一条数据线提供信号；或者，在第二子像素行中，每个所述子像素由该子像素右侧相邻的第一条数据线提供信号。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构中，相邻两根数据线输入电位差信号相反；或者，相邻的两条数据线组成一组，相邻两组数据线组输入的电位差信号相反。5.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，在第一子像素行的每个子像素中，所述像素电极电连接到其左侧的子像素的薄膜晶体管的漏极，所述薄膜晶体管的源极电连接到其左侧的第一条数据线；或者，在第一子像素行的每个子像素中，所述像素电极电连接到其右侧的子像素的薄膜晶体管的漏极，并且所述薄膜晶体管的源极电连接到其右侧的第一条数据线。6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，在第二子像素行的每个子像素中，像素电极和薄膜晶体管的漏极电连接，薄膜晶体管的源极连接到其左侧或者右侧的第一条数据线。7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，在第一子像素行的每个子像素中，所述像素电极的一部分延伸越过所述每个子像素的同一侧的第一条数据线与相邻子像素的薄膜晶体管的漏极电连接。8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素行的栅极线和所述第二子像素行的栅极线位于所述第一子像素行和第二子像素行之间。9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素行和所述第二子像素行的两端分别至少具有一个虚拟子像素。10.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓晔，曹兆铿，黄忠守，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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