一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置，用于显示技术领域，能够减少由于ESD而造成的GOA单元的短路，提高GOA电路的良品率。所述GOA电路包括GOA单元，以及与所述GOA单元电连接的STV信号线，所述STV信号线包括第一部分和第二部分；所述GOA电路还包括第一透明电极以及所述第一透明电极与所述第一部分中间的绝缘层，所述第一透明电极、所述第一部分以及所述绝缘层组成第一电容。本发明专利技术实施例提供的GOA电路，用于显示技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)是目前液晶显示器中的主流产品。随着TFT-LCD产品的竞争日益激烈，各厂家纷纷通过采用新技术来降低产品的成本，提高产品的市场竞争力。其中，GOA(GateDriveronarray，阵列基板行驱动)技术是指将TFT-LCD的栅极驱动器(GateDriver)集成在阵列基板上，形成对面板的扫描驱动。相比传统覆晶薄膜(ChipOnFlex/Film，COF)和直接绑定在玻璃上(ChipOnGlass，COG)的工艺，GOA技术的主要特点是依靠集成在阵列基板上的GOA驱动单元连续触发实现其移位寄存功能，替代了原来的GateDriverIC的绑定(Bonding)区域以及Fan-out布线空间，使得面板可以做到两边对称美观设计，实现了窄边框的设计，降低了成本，同时对产能和良品率提升也比较有利。目前，GOA技术已经在TFT-LCD制造领域得到广泛应用，然而由于其电路连接及工艺的复杂性，GOA电路的良品率很低，其中，影响其良品率的一个主要因素为静电积累和ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放)，在现有的GOA电路的制造过程中，由于STV(VerticalStartPluse，帧开启脉冲信号)信号线较长，在等离子气相沉积环境中容易积累大量的电荷，而当这些电荷向GOA单元的内部释放时容易导致GOA单元被静电击穿现象的发生，造成的GOA单元短路，使GOA电路无法正常工作，从而导致显示装置无法正常显示画面。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置，能够减少由于ESD而造成的GOA单元的短路，提高GOA电路的良品率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种GOA电路，包括GOA单元，以及与所述GOA单元电连接的STV信号线，所述STV信号线包括第一部分和第二部分；所述GOA电路还包括第一透明电极以及所述第一透明电极与所述第一部分中间的绝缘层，所述第一透明电极、所述第一部分以及所述绝缘层组成第一电容。可选的，所述第一透明电极通过至少一个过孔与所述阵列基板的公共电极线电连接。可选的，所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。可选的，所述STV信号线的所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分与所述第一电容连接，所述第二子部分与所述GOA单元连接；所述GOA电路还包括转换模块，所述转换模块包括第一过孔组、第二过孔组和第一透明导电薄膜，所述第一过孔组用于连接所述第一子部分与所述第一透明导电薄膜，所述第二过孔组用于连接所述第一透明导电薄膜与所述第二子部分，所述第一透明导电薄膜与所述阵列基板的像素电极同层设置。可选的，所述STV信号线的所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分与所述第一电容连接，所述第二子部分与所述GOA单元连接；所述GOA电路还包括转换模块，所述转换模块包括第三过孔组，第四过孔组，第五过孔组，第六过孔组，第一金属层，第二透明导电薄膜和第三透明导电薄膜，所述第一金属层与所述阵列基板的源漏层同层设置，所述第二透明导电薄膜和第三透明导电薄膜与所述阵列基板的像素电极同层设置，所述第三过孔组用于连接所述第一子部分与所述第二透明导电薄膜，所述第四过孔组用于连接所述第二透明导电薄膜与所述第一金属层，所述第五过孔组用于连接所述第一金属层与所述第三透明导电薄膜，所述第六过孔组用于连接所述第三透明导电薄膜与所述第二子部分。可选的，所述GOA电路还包括跨接模块，所述跨接模块位于所述GOA单元与所述STV信号线之间，用于在所述STV信号线接入GOA单元之前与所述STV信号线形成跨接。可选的，所述跨接模块为虚拟GOA单元，所述虚拟GOA单元与所述GOA单元的结构相同。一方面，提供一种显示装置，包括阵列基板和以上所述的任意一种GOA电路。本专利技术实施例提供一种GOA电路及显示装置，所述GOA电路包括GOA单元，与所述GOA单元电连接的STV信号线，所述GOA电路还包括第一电容和/或转换模块和/或跨接模块，当所述STV信号线中积累大量静电，可能会造成静电击穿而破坏GOA单元时，首先会经过第一电容对所述静电进行缓慢释放，然后还可以经过所述转换模块进行静电释放，如果还有静电残留，在经过跨接模块时，首先破坏跨接模块的电路，并不会对正常工作的GOA单元产生影响，相较于现有技术，能够减少由于静电击穿引起的GOA单元短路，提高GOA电路的良品率，进而使得显示装置能够正常显示画面。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为专利技术人已知的GOA电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种GOA电路的结构示意图；图3(a)为本专利技术实施例提供的另一种GOA电路的结构示意图；图3(b)为本专利技术实施例提供的一种第一电容的剖面示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种第一透明电极的结构示意图；图5(a)为本专利技术实施例提供的又一种GOA电路的结构示意图；图5(b)为本专利技术实施例提供的一种转换模块的剖面示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种转换模块的剖面示意图；图7为本专利技术实施例提供的再一种GOA电路的结构示意图。附图标记：GOA电路-10，GOA单元-101，STV信号线-102，第一部分-1021，第二部分-1022，第一子部分-1021a，第二子部分-1021b，第一电容-103，第一透明电极-103a，转换模块-104，第一过孔组-104a，第二过孔组-104b，第一透明导电薄膜-104c，第三过孔组104d，第四过孔组-104e，第五过孔组-104f，第六过孔组-104g，第一金属层104h，第二透明导电薄膜-104i，第三透明导电薄膜-104j，跨接模块-105。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的合理的变形和改动，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，现有技术中，阵列基板上GOA电路10包括多个GOA单元101，与所述GOA单元101电连接的至少一个STV信号线102，STV信号线102用于为所述GOA单元101提供开启信号，所述STV信号线102与所述阵列基板的栅线同层设置，实际应用中，可以是一个STV信号线102为多个GOA单元101提供开启信号，也可以是两个STV信号线102分别为相邻两个GOA单元101提供开启信号。本专利技术实施例提供一种阵列基板的栅极行驱动GOA电路10，包括GOA单元101，以及与所述GOA单元101电连接的STV信号线102，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GOA电路，包括GOA单元，以及与所述GOA单元电连接的STV信号线，其特征在于，所述STV信号线包括第一部分和第二部分；所述GOA电路还包括第一透明电极以及所述第一透明电极与所述第一部分中间的绝缘层，所述第一透明电极、所述第一部分以及所述绝缘层组成第一电容。

【技术特征摘要】
1.一种GOA电路，包括GOA单元，以及与所述GOA单元电连接的STV信号线，其特征在于，所述STV信号线包括第一部分和第二部分；所述GOA电路还包括第一透明电极以及所述第一透明电极与所述第一部分中间的绝缘层，所述第一透明电极、所述第一部分以及所述绝缘层组成第一电容；所述STV信号线的所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分与所述第一电容连接，所述第二子部分与所述GOA单元连接；所述GOA电路还包括转换模块，所述转换模块包括第一过孔组、第二过孔组和第一透明导电薄膜，所述第一过孔组用于连接所述第一子部分与所述第一透明导电薄膜，所述第二过孔组用于连接所述第一透明导电薄膜与所述第二子部分，所述第一透明导电薄膜与阵列基板的像素电极同层设置；或者，所述GOA电路还包括转换模块，所述转换模块包括第三过孔组，第四过孔组，第五过孔组，第六过孔组，第一金属层，第二透明导电薄膜和第三透明导电薄膜，所述第一金属层与阵列基板的源漏层同层设置，所述第二透明导电薄膜和第三透明导电薄膜与所述阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫岩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11