一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方组成比例

本发明专利技术涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。本发明专利技术可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，同时晶片上的性能均匀和稳定且寿命长，制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在107Ω·cm以上。

【技术实现步骤摘要】
一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方
: 本专利技术属于半导体材料制备领域，具体涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方。
技术介绍
磷化铟(InP)是重要的II1-V族化合物半导体材料之一，是继硅、砷化镓之后的新一代电子功能材料。与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此InP晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。 InP单晶材料按电学性质主要分掺硫N型InP ;掺锌P型InP ;掺铁或非掺杂退火半绝缘InP单晶。η型InP单晶用于光电器件，InP基的长波长(1.3-1.55 μ m)发光二极管、激光器和探测器已用于光纤通信系统。半绝缘InP衬底上可以制作高速、高频、宽带、低噪声微波、晕米波电子器件。 InP的熔点是1062°C，低于GaAs。但是P在熔点处的离解压(25~27.5atm)很高。由于其高离解压，使得In和P难以象Ga和As那样在单晶炉内直接合成多晶。因此，一般要在高压炉内用高纯铟和高纯红磷首先合成InP多晶料，然后再进行晶体生长工作。 与其它的半导体材料一样，InP材料在生长过程中难以避免热应力作用、化学配比偏离、组份偏析、杂质沾污等，由此造成缺陷的产生和晶格完整性的破坏。为避免缺陷，提高材料完整性和电学性质，进而提高光电子和微电子器件性能和可靠性，需要严格控制化学配比。
技术实现思路
根据以上情况，本专利技术的目的在于提供一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，由该配方生成的InP晶体得到的InP基板用于低噪声和宽带微波器件、末制导和抗干扰毫米波器件及光电集成电路。 本专利技术的技术方案是通过以下措施来实现的:一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，其特征在于按原料重量百分比组成为:InP多晶料97.00~98.50%，三氧化二硼 0.75 ~1.50%，红磷 1.00 ~1.50%，铁 0.02 ~0.03%。 所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗，以去除表面的氧化物和残余杂质，确保实验所需的纯净度。 所述三氧化二硼为高纯脱水三氧化二硼，脱水后的三氧化二硼含水量一般在500ppm 量级。 所述红磷达到6N纯净度。 [0011 ] 所述铁达到6N纯净度。 按照本专利技术提供的上述配方，可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，同时晶片上的性能均匀和稳定且寿命长。 【具体实施方式】 该半绝缘磷化铟单晶生长制备配方按原料重量百分比组成:InP多晶料97.00~ 98.50%，三氧化二硼 0.75 ~1.50%，红磷 1.00 ~1.50%，铁 0.02 ~0.03%。 按照本专利技术提供的上述配方，可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，同时晶片上的性能均匀和稳定且寿命长。 实施例1，该半绝缘磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料97.06 %，三氧化二硼1.46 %，红磷1.46 %，铁0.02 %。 将实施例1制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在 5.6 XlO7 Ω.cm。 实施例2，该半绝缘磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料98.10 %，三氧化二硼0.78 %，红磷1.09 %，铁0.03 %。 将实施例2制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在 6.8 XlO7 Ω.cm。 实施例3，该半绝缘磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料97.50 %，三氧化二硼0.98 %，红磷1.50 %，铁0.02 %。 将实施例3制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在1.2 XlO8 Ω.cm。 实施例4，该半绝缘磷化铟单晶生长制备配方由以下原料重量百分比组成:InP多晶料98.22 %，三氧化二硼0.75%，红磷1.00 %，铁0.03 %。 将实施例4制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在9.6 XlO7 Ω.cm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，其特征在于按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。

【技术特征摘要】
1.一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，其特征在于按原料重量百分比组成为=InP多晶料97.0O~98.50%，三氧化二硼0.75~1.50%，红磷1.00~1.50%，铁0.02~0.03%。2.根据权利要求1所述的半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，其特征在于:所述InP多晶料经去离子水多次煮沸清洗，以去除表面的氧化物和残余杂质。...

【专利技术属性】
技术研发人员：关活明，
申请(专利权)人：台山市华兴光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44