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本发明涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产...该专利属于台山市华兴光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台山市华兴光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产...