【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
第13族氮化物晶体，其具有六方晶结构，且含有氮原子以及选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子，所述第13族氮化物晶体包含：多个方向的基面位错，其中所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林昌弘，皿山正二，佐藤隆，木村千春，三好直哉，村上明繁，和田纯一，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：
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