【技术实现步骤摘要】
-种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路
本专利技术属于三维存储器
，尤其是一种结构简单、实现方式简易、功耗低、 不受电源电压影响的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路。
技术介绍
在存储器电路中，尤其在三维存储器的应用中，为了提升存储电路的读操作的一 致性、可靠性及精确度，需要一个不受电源电压、温度变化影响的稳定参考电压，用以作为 读操作的参考电压。 为了减小温度的影响，现有技术提供了一种不受温度变化影响的稳定参考电路， 如带隙参考电路（Bandgap Reference Circuit),用以产生上述参考电压。简单来说，带隙 参考电流源是将正温度系数（Proportional to absolute temperature, PTAT)的电压和一 个负温度系数的电压（Complementary to absolute temperature, CTAT)以一定的比例相叠 力口，从而得到一个零温度系数的电压。传统的带隙参考电路如图1所示，包括两个三极管和 一个运算放大器，这无疑增加了其结构复杂性以及增大了其面积的消耗。
技术实现思路
(一）要解决的技术问题 有鉴于此，本专利技术的主要目的是提出一种结构简单、实现方式简易、功耗低、不受 电源电压影响的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路。 (二）技术方案 为达到上述目的，本专利技术提供了一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生 电路，该零温度系数参考电压产生电路包括依次连接的启动电路、电流产生电路和电压产 生电路，其中：启动...
【技术保护点】
一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在于，该零温度系数参考电压产生电路包括依次连接的启动电路、电流产生电路和电压产生电路，其中：启动电路，用以确保该零温度系数参考电压产生电路在上电之后能够正常工作；电流产生电路，用以产生负温度系数的电流，该负温度系数的电流与电源电压无关；电压产生电路，用以根据该负温度系数的电流产生零温度系数的参考电压。
【技术特征摘要】
1. 一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在于，该零温度系数 参考电压产生电路包括依次连接的启动电路、电流产生电路和电压产生电路，其中： 启动电路，用以确保该零温度系数参考电压产生电路在上电之后能够正常工作； 电流产生电路，用以产生负温度系数的电流，该负温度系数的电流与电源电压无关； 电压产生电路，用以根据该负温度系数的电流产生零温度系数的参考电压。2. 根据权利要求1所述的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在 于，该启动电路包括一个NMOS管，该NMOS管打开，将其漏端的电位拉低，使得该零温度系 数参考电压产生电路有电流流过，避免该零温度系数参考电压产生电路工作在简并偏执 点，并避免该零温度系数参考电压产生电路进入锁死状态。3. 根据权利要求1所述的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在 于，该电流产生电路包括第一支路（1)和第二支路（2)，其中，第一支路（1)包括串联连接的 第一 PMOS管（MP1)、第一 NMOS管（MN1)和第一电阻（Rs);第二支路⑵包括串联连接的第 二 PM0S 管（MP2)和第 NMOS 管（MN2)。4. 根据权利要求3所述的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在 于，在第一支路（1)中，该第一 PM0S管（MP1)的源端连接到电源电压VDD，该第一 PM0S管 (MP1)的漏端与栅端相连接并连接于该第一 NMOS管（MN1)的漏端；该第一 NMOS管（MN1)的 栅端连接于第二支路（2)上的第二NMOS管（MN2)的栅端，该第一 NMOS管（MN1)的源端与 第一电阻（Rs) -端相连接；第一电阻（Rs)的另一端连接到地VSS。5. 根据权利要求3所述的面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，其特征在 于，在第二支路（2)中，该第二PM0S管（MP2)的源端连接到电源电压VDD，该第二PM0S管 (MP2)的栅端与第一支路（1)的第一 PM...
【专利技术属性】
技术研发人员：李婷，霍宗亮，刘明，王瑜，曹华敏，刘璟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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