确定片上电压和温度制造技术

本发明专利技术在一个实施例中提供了可以包括对作为半导体器件的一部分的两种类型的传感器进行建模和校准的方法。另外，该方法可以包括基于从两个传感器接收的数据来确定温度和电压。

【技术实现步骤摘要】
确定片上电压和温度
技术介绍
在近来的集成电路(IC)技术中，半导体器件的器件几何形状的缩小化和光刻技术的进展使得能够增大半导体器件密度。然而，这导致了若干挑战，诸如增加的峰值功率密度和由不可预测的工作负荷造成的热点迁移。
技术实现思路
在一个实施例中，一种方法可以包括对作为半导体器件的一部分的两种类型的传感器进行建模和校准。另外，该方法可以包括基于从两个传感器接收的数据来确定温度和电压。在一个实施例中，一种系统可以包括第一传感器、第二传感器以及f禹合成从第一和第二传感器二者接收输出的分析部件。该分析部件可以用于执行包括对作为半导体器件的一部分的第一和第二传感器进行建模和校准的方法。此外，该方法可以包括基于从第一和第二传感器接收的数据来确定温度和电压。在一个实施例中，一种方法可以包括对作为半导体器件的一部分的电压敏感传感器和温度敏感传感器进行建模和校准。注意，电压敏感传感器和温度敏感传感器处于紧邻。另外，该方法可以包括基于从电压敏感传感器和温度敏感传感器接收的数据来确定温度和电压。虽然在本
技术实现思路
内具体描述了根据本专利技术的特定实施例，但是注意本专利技术和要求保护的主题不以任何方式受这个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：对作为半导体器件的一部分的两种类型的传感器建模和校准；以及基于从所述两个传感器接收的数据，确定温度和电压。

【技术特征摘要】
2011.11.01 US 61/554,490;2012.01.25 US 13/358,3871.一种方法，包括: 对作为半导体器件的一部分的两种类型的传感器建模和校准；以及 基于从所述两个传感器接收的数据，确定温度和电压。2.权利要求1的方法，其中所述两个传感器中的第一传感器包括泄漏环形振荡器。3.权利要求2的方法，其中所述两个传感器中的第二传感器包括非泄漏环形振荡器。4.权利要求2的方法，其中所述泄漏环形振荡器包括泄漏反相器。5.权利要求4的方法，其中所述泄漏反相器包括上拉部件、泄漏部件和下拉部件。6.权利要求1的方法，其中所述确定包括利用回归分析。7.权利要求1的方法，其中所述确定包括利用代表所述第一传感器的第一模型和代表所述第二传感器的第二模型。8.一种系统,包括: 第一传感器； 第二传感器； 耦合成从所述第一传感器和第二传感器二者接收输出的分析部件，所述分析部件用于执行一种方法，所述方法包括: 对作为半导体器件的一部分的所述第一传感器和第二传感器建模和校准；以及 基于从所述第一传感器和第二传感器接收的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安博黑谢克·辛格，沃伊切赫·雅各布·波普，伊利亚斯·埃尔金，
申请(专利权)人：辉达公司，
类型：发明
国别省市：