同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源制造技术

本发明专利技术公开了一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源，涉及CMOS集成电路技术，包括两个PMOS管，两个NMOS管，一个负温度系数电阻和一个正温度系数电阻。本发明专利技术的VGS/R型基准源电路，在传统的VGS/R型电路的基础上增加了一个正温度系数的电阻。相比于传统的VGS/R型基准源电路只可以提供一个恒电流基准，改进的电路除了可提供一个恒电流基准外，还可以同时提供一个零温度系数的恒电压基准。同时，该改进结构不增加任何功耗，且结构简单，功耗低，版图面积小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS集成电路
，是一种可同时提供零温度系数电压基准和零温度系数电流基准的Ves/R型基准源电路。
技术介绍
基准源电路是为模拟电路系统提供电压或者电流基准工作点的电路，是模拟电路系统中重要的模块之一。从温度系数上，基准可分为零温度系数基准，正温度系数(PTAT，Proportional To AbsoluteTemperature)基准，负温度系数(CTAT, Complementary ToAbsoluteTemperature)基准。从基准属性上，又可以分为电压基准和电流基准。其中，零温度系数的电流基准(又称恒电流基准)和零温度系数的电压基准(又称恒电压基准)的特性由于不随温度改变而改变，是模拟电路系统中常常选用的基准。CMOS工艺可以提供的电阻中，有些为正温度系数，如未硅化的多晶硅电阻；有些为负温度系数，如硅化的多晶硅电阻。Ves/R型基准源电路由于其结构简单，功耗电流低，版图面积小而被广泛应用于无线射频识别标签(RFID，Radio FrequencyIDentification)等低功耗、低成本领域。传统的Ves/R型基准源电路可以提供一种零温度系数电流基准、一种CTAT电压基准和一种PTAT电压基准。附图说明图1为传统的Ves/R型基准源电路原理图。PMl和PM2尺寸相同，构成电流镜。流过Rctat的电流和流过匪1的电流相等，设为IKEF。假设匪1工作在饱和状态，则权利要求1.一种同时提供零温度系数电压和电流基准的Ves/R型基准源，用于无线射频识别标签，包括两个PMOS管(PM1、PM2)，两个NMOS管(NM1、NM2)，一个负温度系数电阻(RCTAT)；PMl管的源极和PM2管的源级接VDD ；PMl管的漏极分别接匪1管的漏极和匪2管的栅极；PMl管的栅极分别接PM2管的栅极和漏极，及匪2管的漏极；匪1管的栅极接负温度系数电阻(Rctat)的一端，匪1管的源极分别接负温度系数电阻(Rctat)的另一端和地；其特征在于，还包括一个正温度系数电阻(Rptat)；其中，匪2管的源极接正温度系数电阻(Rptat)的一端，正温度系数电阻(Rptat)的另一端接匪1管栅极和负温度系数电阻(Rctat) —端的接点。2.如权利要求1所述的同时提供零温度系数电压和电流基准的Ves/R型基准源，其特征在于，电路的输出基准电压Vkef Vref — Iref · (Rctat+Rptat) (5)其中，Veef是本专利技术电路的输出电压，Ikef为本专利技术电路的输出电流；R。tat和Rptat分别代表本专利技术电路中Rctat和Rptat电阻的阻值；dRCTAT BRpTAT P-4-时，抓REF _ T pRpTAT ,脱CTAT \ _ A"ar"_ κεΛ^Γ _ ⑷Veef为零温度系数的恒电压基准。全文摘要本专利技术公开了一种同时提供零温度系数电压和电流基准的VGS/R型基准源，涉及CMOS集成电路技术，包括两个PMOS管，两个NMOS管，一个负温度系数电阻和一个正温度系数电阻。本专利技术的VGS/R型基准源电路，在传统的VGS/R型电路的基础上增加了一个正温度系数的电阻。相比于传统的VGS/R型基准源电路只可以提供一个恒电流基准，改进的电路除了可提供一个恒电流基准外，还可以同时提供一个零温度系数的恒电压基准。同时，该改进结构不增加任何功耗，且结构简单，功耗低，版图面积小。文档编号G05F1/56GK102385409SQ201110311069公开日2012年3月21日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年10月14日专利技术者朱文锐, 杨海钢 申请人:中国科学院电子学研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱文锐，杨海钢，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：