【技术实现步骤摘要】
一种提供零温度系数电压的方法及电路
本专利技术涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种提供零温度系数电压的方法及电路。
技术介绍
带隙基准参考源电路广泛地应用于模拟电路中,带隙基准参考源电路可以提供一个与工艺、电压和温度无关的电压,该电压可用于温度检测电路、数据转换器、低压差线性稳压器等电路中。在深亚微米工艺下,电源电压往往只有IV左右,小于带隙电压1.2V,因此采用传统结构的带隙基准参考电路无法实现在低电源电压下工作。在目前的技术实现中,通过采用正负温度系数电流加权技术,得到一个低温度系数电流,并将该电流送给一个低温度系数的电阻,得到一个低于IV的带隙参考电压。然而,现有技术存在以下缺点:采用正负温度系数的电流加权,需要两个电流,功耗比较大;电路中产生正、负温度系数电流的电阻的个数多,并要求很好的匹配,因此实现难度大、要求高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述缺陷,本专利技术提出一种提供零温度系数电压的方法及电路,能够简便地提供工作于IV以下的零温度系数电压。本专利技术的一个方面,提供一种带隙基准参考源电路,包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一晶体管、第二晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻;其中:所述第一双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第四电阻的一端和所述运算放大器的反相输入端;所述第二双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接所述第五电阻的一端和所述运算放大器的正相输入端;所述第三双极性晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所 ...
【技术保护点】
一种带隙基准参考源电路,其特征在于,包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一晶体管、第二晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻;其中:所述第一双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第四电阻的一端和所述运算放大器的反相输入端;所述第二双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接所述第五电阻的一端和所述运算放大器的正相输入端;所述第三双极性晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第二电阻的一端;所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端;所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接电源;所述第一晶体管的漏极连接所述第四电阻的另一端、所述第五电阻的另一端;所述第二晶体管的漏极连接所述第二电阻的另一端和第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准参考源电路,其特征在于,包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一晶体管、第二晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻;其中: 所述第一双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第四电阻的一端和所述运算放大器的反相输入端; 所述第二双极型晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接所述第五电阻的一端和所述运算放大器的正相输入端; 所述第三双极性晶体管的集电极和基极接地,发射极连接所述第二电阻的一端; 所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端;所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接电源;所述第一晶体管的漏极连接所述第四电阻的另一端、所述第五电阻的另一端;所述第二晶体管的漏极连接所述第二电阻的另一端和第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端接地。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第四电阻与第五电阻的阻值相等。3.根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于,所述第三电阻由第六电阻和第七电阻串联替代。4.根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于,所述第一晶体管、...
【专利技术属性】
技术研发人员:李振国,原义栋,杨小坤,
申请(专利权)人:国家电网公司,北京南瑞智芯微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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