电阻式存储器及其存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种电阻式存储器及其存储单元，其中，电阻式存储单元包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅极。第一掺杂区与第二掺杂区同样配置在基底中，栅极配置在基底上，并覆盖部份的第一掺杂区及部分的第二掺杂区，其中，栅极为浮动栅极。此外，第一掺杂区及第二掺杂区分别接收第一参考电压及第二参考电压，且第一掺杂区及第二掺杂区与栅极的重叠区域分别依据第一参考电压及第二参考电压的电压差分别提供不相同的第一阻抗值以及第二阻抗值。

【技术实现步骤摘要】
电阻式存储器及其存储单元
本专利技术是有关于一种电阻式存储单元，且特别是有关于一种背靠背(backtoback)结构的电阻式存储单元。
技术介绍
基于电阻式存储器结构的多种优点，将电阻式存储器结构应用在非挥发性存储器成为现今的一种趋势。在现有的
中，电阻式存储器结构中包括一个例如由氧化镍(NiO)、二氧化钛(TiO2)、氧化铜(CuO)或氧化铪(HfO)来形成的过渡金属氧化层(transitionmetaloxidelayer)。这个过渡金属氧化被夹在两个金属层中间以形成所谓的金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)的结构。虽然，所谓的MIM结构可以通过后置的金属化的工艺方式来完成，但在于作为内嵌式存储器的电阻式存储器而言，这个金属化的后置的工艺需要多余的光罩以及工艺步骤来完成，造成生产上很大的困扰。另外，由于电阻式存储器提供一定的电阻值，在当其所提供的电阻值偏低时，会产生一定程度的漏电现象。这种漏电现象除了浪费电力外，还会对电阻式存储器所属的系统产生一定的干扰影响，降低系统的效能。
技术实现思路
本专利技术提供一种电阻式存储器及其电阻式存储单元，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储单元，包括：一基底；一第一掺杂区，配置在该基底中；一第二掺杂区，配置在该基底中；一栅极，配置在基底上，并覆盖部份该第一掺杂区及部分该第二掺杂区，该栅极为一浮动栅极，其中，该第一掺杂区及该第二掺杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一掺杂区及该第二掺杂区与该栅极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储单元，包括：一基底；一第一掺杂区，配置在该基底中；一第二掺杂区，配置在该基底中；一栅极，配置在基底上，并覆盖部份该第一掺杂区及部分该第二掺杂区，该栅极为一浮动栅极，其中，该第一掺杂区及该第二掺杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一掺杂区及该第二掺杂区与该栅极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值。2.如权利要求1所述电阻式存储单元，其中当该电压差的绝对值小于一重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值等于一高阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值变更为一低阻抗值，其中，该高阻抗值大于该低阻抗值。3.如权利要求2所述电阻式存储单元，其中当该电压差的绝对值小于一设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值等于该低阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值变更为该高阻抗值。4.如权利要求3所述电阻式存储单元，其中该重置电压值等于该设定电压值。5.如权利要求1所述电阻式存储单元，其中该第一掺杂区为漏极及源极的其中之一，该第二掺杂区为漏极及源极的另一个。6.一种电阻式存储器，包括：多数个电阻式存储单元，依据一阵列方式进行排列以形成多数个存储行以及多数个存储列，其中各该电...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯拓宏，吴仕杰，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71