微电子器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及制造微电子装置的方法，微电子装置包括基板和堆，堆包括至少一个导电层和至少一个介电层，该方法包括：从所述基板的一个表面形成至少一个相对于所述基板表面水平面为凹陷的图案，所述图案的壁包括底部和侧面部分，侧面部分位于所述底部和所述基板的表面之间，所述侧面部分包括至少一个倾斜直至基板的表面的倾斜壁；形成所述堆，所述堆的多个层有助于至少部分地填充所述图案；将所述堆打薄到至少所述基板表面的水平面，以完全暴露所述至少一个在一个平面中齐平的导电层的边缘；和在所述基板上形成至少一个电连接件，与所述至少一个导电层的边缘接触。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及制造微电子装置的方法，微电子装置包括基板和堆，堆包括至少一个导电层和至少一个介电层，该方法包括：从所述基板的一个表面形成至少一个相对于所述基板表面水平面为凹陷的图案，所述图案的壁包括底部和侧面部分，侧面部分位于所述底部和所述基板的表面之间，所述侧面部分包括至少一个倾斜直至基板的表面的倾斜壁；形成所述堆，所述堆的多个层有助于至少部分地填充所述图案；将所述堆打薄到至少所述基板表面的水平面，以完全暴露所述至少一个在一个平面中齐平的导电层的边缘；和在所述基板上形成至少一个电连接件，与所述至少一个导电层的边缘接触。【专利说明】
本专利技术一般涉及电触点和导电层的形成，电触点位于导电层和绝缘层交替的层状结构的每个导电层上，尤其涉及多层电容器或密集路由结构的生产。
技术介绍
微电子工业通常使用金属/绝缘体/金属(MM)型式的层状结构，其中，交替绝缘和导电的多个层堆叠，由于这些层的重叠提供的表面积的节省，以合理成本价形成尤其是大容量的电容器。这种形式的结构已经有描述，特别是这些基于薄陶瓷层应用的结构，这些薄陶瓷层被导电片隔开以生产大容量电容器。至于侧面的接触点，为了连接所有的导电电极以将单独的电容器并联设置，有必要求助于来自于微电子学外的方法。采用的技术通常是复杂的并且因此也是昂贵的，例如递交至美国专利商标局(USPTO)的专利申请US2012/0257324A1中描述的内容。US2012/014548A1和W02011/090440A1公开了利用基板上的凹处通过将导电和非导电部分交替设置且这些导电部分以梳状交织形成的堆叠层来制造电容器的方法。由此产生的器件包括连接引脚，连接引脚仅用在导电部分的一部分，与基板的表面齐平地配合。有可能基于交替的若干导电层(两个连续的导电层从不电连接)生产电容器成为可能，以随着减小的尺寸提供高电容值。然而，通过加在表面上的引脚实现连接包含制造导电层的复杂的制备以产生掩 模和/或蚀刻。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提出解决这个问题的装置和方法，能够不增加该方法的步骤的数目，并且有利地使用微电子产业使用的传统方法。通过下列描述和相应附图将展现出本专利技术的其他目的、特征及优势。当然还可能包括其它优势。本专利技术的第一方面涉及生产微电子器件的方法，微电子器件包括基板和堆，堆包括至少一个导电层和至少一个介电层。有利地，该方法包括以下步骤:从所述基板的一个表面形成至少一个相对于所述基板表面水平面为凹陷的图案，所述图案的壁包括底部和侧面部分，所述侧面部分位于所述底部和所述基板的表面之间，所述侧面部分包括至少一个直至所述基板的表面的倾斜壁；形成所述堆，所述堆的多个层有助于至少部分地填充所述图案；将所述堆打薄至少到所述基板表面的水平面，以完全暴露在一个平面中齐平的所述至少一个导电层的边缘；在所述基板上形成至少一个电连接件，与所述至少一个导电层的边缘接触，并完全离开在所述平面中齐平的所述至少一个导电层的边缘。根据本专利技术，微电子学意指所有微电子学和纳米电子学技术。利用本专利技术，与绝缘层交替的导电层可通过处于同一水平面的基板的表面自外部接触到。这显然便于进行后续的连接，触点在基板表面的平面中生产。打薄有利地由例如通过平刨调平的单个步骤完成。类似地，连续的淀积层有利地为固体板类型以使制造大大简化。而且，由于该方法使获得与一个或多个边缘完全暴露在表面上的导电层的电连接成为可能，并避免了制备这些层而要涉及多个掩模或蚀刻板的复杂步骤掩模。在一种有利的情况下，掩模本专利技术可通过形成限定了单个开口的图案的单个掩模和用于形成电连接的简化的连续淀积和定型(finalisation)来实施,对于能够实现的连接构造而言,该方法快速而灵活。本专利技术的另一方面涉及微电子器件，包括基板和堆，堆包括相继的至少一个导电层、介电层和另一个导电层。有利地，该基板包括位于关于基板表面的平面凹陷处的图案，图案的壁包括底部和侧面部分，侧面部分位于底部和基板的表面之间，侧面部分优选包括至少一个倾斜壁，堆位于图案处，堆的第一层完全覆盖图案限定的凹处，堆的其它层完全覆盖紧靠其下的堆的层，所述至少一个导电层的边缘完全暴露于在一个水平面齐平的所述基板的表面且连接至电连接件。本专利技术的另一方面涉及系统，包括集成电路，该集成电路设置有至少一个用于该集成电路的连接引线，至少一个输入/输出焊盘和至少一个根据本专利技术的器件，该器件的连接件之一连接至该连接引线，该器件的连接件中的另一个连接至所述输入/输出焊盘。【专利附图】【附图说明】 下列附图阐明的实施例的详细描述，将更清晰地呈现本专利技术的目的、特征及优点，图1图示了根据本专利技术的生产器件的堆的原理；图2显示了交替淀积导电层和绝缘层后获得的层堆的一个例子；图3显示了在前述的步骤结束时通常获得的图案的对称结构；图4图示了通常通过化学机械抛光(CMP)执行的打薄器件表面步骤的结果；图5显示了在CMP后刚淀积了一层绝缘层的步骤的结果，在该绝缘层中可以制成导电层的触点；图6显示了绝缘层内的触点开口的结果；图7显示了器件表面互连的结果；图8为可由本专利技术的方法生产的电容器形式的器件的一个例子的平面图；图9图示了应用本专利技术以实现高密度连接路径的例子；附图以示例形式给出但不限制本专利技术。【具体实施方式】开始详细讨论本专利技术的实施例前，先说明那些纯粹可选的特征这些特征在需要的情况下可以根据所有的组合彼此相关或替换地使用。-基板表面是导电的，通过至少一次由绝缘层和导电层的相继交替，在基板上形成堆；-图案的壁是电绝缘的，且随着导电层、介电层和导电层至少一次相继交替，在基板上形成堆；-倾斜壁是一个平面；-倾斜壁和基板表面的水平面间形成的角介于30°~90°之间；-倾斜壁形成以从底部的壁伸展至基板表面；-形成电连接件的步骤包括:-淀积电气绝缘材料，其中，通过光刻法和蚀刻法，对于堆的暴露的导电层的至少一个边缘，限定至少一个开口以在所述边缘提供电触点；-淀积导电材料，以形成电连接件，所述淀积配置为能够通过所述至少一个开口；-堆包括两个被介电层间隔的导电层，配置所述至少一个开口以在两个导电层中第一个的边缘设置触点，而在两个导电层中的第二个上不设置触点；-包括第二开口，第二开口配置成在两个导电层中第二个的边缘设置触点，而在两个导电层中的第一个上不设置触点；-在堆形成前并且在凹陷图案形成后，还包括形成完成基板的电绝缘层。-形成堆的步骤在整个基板的表面执行，打薄步骤包括平滑化；平滑化的处理可在停止面上停止，如果有层150存在，停止面有利地位于层上或低于层，或者停止面位于层150下的基底表面或位于其下；-堆中的多个层是连续的。因此它们有利的是覆盖凹处的整个表面的层；-打薄步骤包括调平(levelling);-形成图案的步骤包括蚀刻基板的步骤；-该方法涉及制造多层电容器件；-该方法涉及制造用于路由和/或部件供电的器件；-电连接件至少包括第一和第二电触点，每个所述触点电连接所述堆中一系列不同的的导电层，每个不同的导电层系列形成电容器电极或电气路径；-连续的淀积层是相同的；-形成图案的步骤包括蚀刻基板的步骤；-两个导电层与介电层串联连接以形成电容器的电极；-至少一个导电层的边缘连接至至少两个连接件以形成电气路径；-两个连接件之一可连接至集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造微电子器件的方法，所述微电子装置包括基板和堆，所述堆包括至少一个导电层和至少一个介电层，该方法包括：从所述基板的一个表面形成至少一个相对于所述基板表面水平面为凹陷的图案，所述图案的壁包括底部和侧面部分，所述侧面部分位于所述底部和所述基板的表面之间，所述侧面部分包括至少一个直至所述基板的表面的倾斜壁；形成所述堆，所述堆的多个层有助于至少部分地填充所述图案；将所述堆打薄到至少所述基板表面的水平面，以便在一个平面中齐平的所述至少一个导电层的边缘完全露出；其中，在所述打薄之后，所述方法包括在所述基板上形成至少一个电连接件，与所述至少一个导电层的边缘接触，并完全离开在所述平面中齐平的所述至少一个导电层的边缘。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：亨利·席卜耶特，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR