【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积无机钙钛矿层的方法
[0001]本专利技术涉及用于沉积无机钙钛矿层的方法的总体领域。
[0002]本专利技术在许多工业领域中均有应用,特别是在用于医疗应用的X射线检测领域中,而且在光伏、伽马射线检测领域中,或者在制造电子、光学或光电子装置(特别是制造发光二极管(LED)、光电检测器、闪烁器或晶体管)的领域中也有应用。
[0003]本专利技术特别引人注意,因为它允许沉积厚的无机钙钛矿层(通常大于或等于0.1mm或大于1mm)。
技术介绍
[0004]目前,可以通过不同的方法获得ABX3型钙钛矿(PVK)。
[0005]第一种方法在于使用溶液生长方法来使CsPbBr3晶体生长。在这种情况下,前体CsBr和PbBr2溶解在一种或多种溶剂中,并且系统经受温度变化,这导致溶液中前体过饱和并引发晶体的生长[1]。
[0006]还从液体溶液中合成了具有式MAPbI3、FAPbI3和MAPbBr3(具有MA甲胺和FA甲脒)的钙钛矿结构的单晶[2]。
[0007]然而,这些在溶液中的生长方法很难 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于将无机钙钛矿层(1)沉积到衬底上的方法,包括下列步骤:a)提供衬底(10)和无机靶材(20),b)将所述衬底(10)和所述靶材(20)定位在近空间升华炉(100)中,c)通过所述靶材(20)的升华将无机钙钛矿层(1)沉积到所述衬底(10)上。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述无机钙钛矿层(1)具有式A
’2C
1+
D
3+
X6、A2B
4+
X6或A3B
23+
X9,其中A、A
’
、C、D和B是阳离子,X是阴离子。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述无机钙钛矿层(1)具有式A
(1)1
‑
(y2+...+yn)
A
(2)y2
...A
(n)yn
B
(1)1
‑
(z2+...+zm)
B
(2)z2
...B
(m)zm
X
(1)3
‑
(x2+...+xp)
X
(2)x2
...X
(P)xp
,其中A和B是阳离子,X是阴离子。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述无机钙钛矿层(1)具有式ABX3,其中A和B是阳离子,X是阴离子。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于所述无机钙钛矿层(1)由CsPbBr3制成。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于所述无机钙钛矿层(1)具有大于或等于100μm的厚度。7.根据权利要求4到6中任一项所述的方法,其特征在于所述靶材(20)包括式ABX...
【专利技术属性】
技术研发人员:L,
申请(专利权)人:法国原子能源和替代能源委员会,
类型:发明
国别省市:
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