单晶材料基片加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种单晶材料基片加热装置，用于加热单晶材料基片，单晶材料基片加热装置包括导热基材和多组加热组件，导热基材具有相邻的第一侧和第二侧，第一侧用于与单晶材料基片相连，多组加热组件设于第二侧上，以对单晶材料基片进行加热，其中，相邻的加热组件之间具有间隔，多组加热组件均匀分布于第二侧上。本申请提供的单晶材料基片加热装置，通过均匀分布的多组加热组件，能够使单晶材料基片加热装置温度均匀，从而解决单晶材料基片加热时温度不均匀的问题。时温度不均匀的问题。时温度不均匀的问题。

Single crystal material substrate heating device

【技术实现步骤摘要】
单晶材料基片加热装置


[0001]本技术涉及半导体外延材料的制备
，特别是涉及单晶材料基片加热装置。

技术介绍

[0002]分子束外延是制备外延片的技术，它是将晶圆衬底加热，然后往晶圆衬底上喷射来自源炉的“分子束”，“分子束”是由材料分子或原子组成的束流，在超高真空环境中可以直线运动，打到衬底上，不至于被气体分子散射。这些“分子束”到达晶圆衬底后，借助晶圆衬底的热量产生物理反应，最终生成薄膜。这种覆盖了薄膜的晶圆衬底，被称作“外延片”。因此，单晶材料基片加热装置的性能直接影响了单晶材料基片的温度均匀性，进而影响了单晶材料基片的质量。
[0003]目前的单晶材料基片加热装置一般通过改善加热丝形状、加热材料或是提高温度检测的精度，例如采用单双区加热丝型盘状加热装置，来提高单晶材料基片的温度均匀性，而这种方式仍然存在着加热单晶材料基片时温度不均匀的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对加热单晶材料基片的温度不均匀的问题，提供一种能够保证对单晶材料基片均匀加热的单晶材料基片加热装置。
[0005]一种单晶材料基片加热装置，用于加热单晶材料基片，单晶材料基片加热装置包括：
[0006]导热基材，具有相邻的第一侧和第二侧，第一侧用于与单晶材料基片相连；
[0007]多组加热组件，设于第二侧上，以对单晶材料基片进行加热；
[0008]其中，相邻的加热组件之间具有间隔，多组加热组件均匀分布于第二侧上。
[0009]在其中一个实施例中，多组加热组件呈阵列排布于导热基材上。通过阵列排布的方式能够使加热组件均匀分布在导热基材上，从而实现导热基材不同位置的温度的一致性，从而提高对单晶材料基片的加热的均温性。
[0010]在其中一个实施例中，加热组件包括加热元件和温度控制器，温度控制器与加热元件通讯相连，以控制加热元件的温度。通过温度控制器能够精确地控制加热组件的温度，从而使单晶材料基片加热装置能够以单晶材料基片所需要的温度对单晶材料基片进行加热。
[0011]在其中一个实施例中，单晶材料基片加热装置还包括测温元件，测温元件与加热元件相连，测温元件用于检测加热元件的温度信息，测温元件还与温度控制器通讯相连，温度控制器用于根据温度信息控制加热元件加热至预设温度。如此，通过测温元件能够实时检测加热元件的温度，从而易于温度控制器对温度进行调整和控制。
[0012]在其中一个实施例中，测温元件包括热电偶。热电偶是温度测量仪表中常用的测温元件，它直接测量温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表(二次仪表)转
换成被测介质的温度。热电偶的装配简单、更换方便，不仅测量精度高，其测温范围也较大，热响应时间快，且具有较长的使用寿命。
[0013]在其中一个实施例中，单晶材料基片加热装置还包括功率调节装置，功率调节装置与加热组件相连，功率调节装置与温度控制器通讯相连，温度控制器用于通过功率调节装置调节功率，以控制加热组件的温度。通过功率调节装置能够将温度控制器的控制信号传输给加热组件，从而实现精准控温。
[0014]在其中一个实施例中，加热元件的外部轮廓呈圆形。由于单晶材料基片的生长过程中不仅需要加热，还需要旋转，圆形的加热元件更为易于与单晶材料基片的生长需求所适配。
[0015]在其中一个实施例中，导热基材的外部轮廓与单晶材料基片的外部轮廓相适配。如此，能够易于单晶材料基片放置到单晶材料基片加热装置上，而且，轮廓相适配能够使导热基材更好地对单晶材料基片进行加热。
[0016]在其中一个实施例中，导热基材的外部轮廓呈圆形。单晶材料基片多呈圆形，圆形导热基材更为适于单晶材料基片的形状。
[0017]在其中一个实施例中，导热基材包括石墨导热基材。石墨导热基材的均匀性好，耐高温，抗腐蚀能力强，且具有较高的使用寿命，能够更好地对单晶材料基片进行加热。
[0018]上述单晶材料基片加热装置，通过均匀分布的多组加热组件，能够使单晶材料基片加热装置温度均匀，从而解决单晶材料基片加热时温度不均匀的问题。
附图说明
[0019]图1为本技术一实施例的单晶材料基片加热装置的结构示意图；
[0020]图2为本技术一实施例的加热组件的结构示意图；
[0021]图3为本技术一实施例的单晶材料基片加热装置的使用示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100、单晶材料基片加热装置；10、导热基材；11、第一侧；12、第二侧；20、加热组件；21、加热元件；22、测温元件；200、单晶材料基片。
具体实施方式
[0024]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0026]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0028]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]需要说明的是，当元件被称为“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶材料基片加热装置，用于加热单晶材料基片，所述单晶材料基片加热装置包括：导热基材，具有相邻的第一侧和第二侧，所述第一侧用于与所述单晶材料基片相连；多组加热组件，设于所述第二侧上，以对所述单晶材料基片进行加热；其中，相邻的所述加热组件之间具有间隔，所述多组加热组件均匀分布于所述第二侧上。2.根据权利要求1所述的单晶材料基片加热装置，其特征在于，所述多组加热组件呈阵列排布于所述导热基材上。3.根据权利要求1所述的单晶材料基片加热装置，其特征在于，所述加热组件包括加热元件和温度控制器，所述温度控制器与所述加热元件通讯相连，以控制所述加热元件的温度。4.根据权利要求3所述的单晶材料基片加热装置，其特征在于，所述单晶材料基片加热装置还包括测温元件，所述测温元件与所述加热元件相连，所述测温元件用于检测所述加热元件的温度信息，所述测温元件还与所述温度控制器通讯相连，所述温...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪健，黄建民，薛聪，
申请(专利权)人：迪希埃北京半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：