半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明专利技术实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。通过采用这样的结构，本发明专利技术可以在多个原衬底各自中同时实现期望的生长条件，因而可以提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。的半导体衬底的新技术。的半导体衬底的新技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置


[0001]本专利技术涉及半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置。

技术介绍

[0002]作为替代Si(硅)、GaAs(砷化镓)的下一代半导体材料，SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、Ga2O3(氧化镓)等材料受到关注。
[0003]例如，SiC与Si相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大三倍，热导率高三倍左右。因此，SiC有望应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。
[0004]通常，用于制造SiC半导体器件的SiC衬底是通过对单晶SiC晶锭进行切片来制造的。作为该晶锭的生长方法，主要采用升华再结晶法(改良瑞利法)(参照专利文献1等)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平3
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295898号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]但是，在改良瑞利法中，通过使SiC原材料的升华气体在单晶衬底(籽晶)的表面上进行再结晶，进行晶锭的生长。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体衬底的制造方法，其包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述设置步骤中，将所述原衬底和所述原料体设置在准封闭空间中。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，在所述加热步骤中进行加热，以在所述原衬底和所述原料体之间形成温度差。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，还包括分离步骤，分离具有所述生长层的所述原衬底的一部分。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述分离步骤包括：引入步骤，将损伤层引入到具有所述生长层的所述原衬底中；以及剥离步骤，剥离具有所述生长层的所述原衬底的一部分。6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其中，在所述设置步骤中，将所述原衬底和所述原料体设置成紧密结合。7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法，其中，在所述设置步骤中，在包括所述原衬底和所述原料体的单位处理体之间设置防止所述原衬底和所述原料体之间的原料输送的原料输送防止体。8.根据权利要求1至7中任一项所述的制造方法，其中，所述原衬底和所述原料体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子忠昭，小岛清，
申请(专利权)人：丰田通商株式会社，
类型：发明
国别省市：