本发明要解决的问题是提供一种用于在生长和蚀刻同时进行的热处理中测量蚀刻量的新技术。本发明包括：第一衬底厚度测量步骤(S10)，测量热处理前的半导体衬底(10)的厚度(10D)；第二衬底厚度测量步骤(S20)，测量热处理后的半导体衬底(2...

本发明要解决的问题在于提供一种适合于大口径的SiC衬底的评价的新颖的评价方法。本发明是一种SiC衬底的评价方法，其特征在于，包括以相对于SiC衬底(10)的{0001}面的法线N倾斜的入射角度θ入射电子射线PE来取得图像I的图像取得步骤...

本发明要解决的问题是提供一种评价热处理环境的新技术。本发明是一种热处理环境的评价方法，包括：图像取得步骤(S20)，以相对于热处理后的SiC衬底(10)的{0001}面的法线(N)倾斜的入射角度(θ)入射电子射线(PE)而取得图像(I)...

本发明涉及Mg除去剂以及铝合金的制造方法。提供一种用于从铝合金熔体中除去Mg的Mg除去剂。本发明为由氯化物和铜氧化物构成的Mg除去剂。氯化物至少包含选自K、Na和Ca中的一种以上的基础金属元素和Mg。相对于其整体，氯化物例如包含0.2质...

本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的半导体衬底的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：在具有贯通孔(11)的基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还是一种形成生长层(20)的方法...

本发明要解决的问题是提供一种能够去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理...

本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括去除基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述基底衬底上形成生长层的晶体生长步骤。此外，本发...

本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制生长层的裂纹产生的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：用于降低基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和用于在基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，...

本发明涉及电力调节系统和聚合装置。一种电力调节系统，其调节使用多个电气化车辆作为能量资源的虚拟发电厂中的电气化车辆的充电和放电电力。该电力调节系统包括：第一处理器，其被配置为基于电气化车辆中包括的每个单个电气化车辆的车辆信息来管理电气化...

目的在于提供一种方法，用所述方法可以从原料为废料等的铝合金熔体中有效地除去Mg。本发明的金属除去方法包括形成与含有Mg的铝合金熔体接触的熔融盐层的处理步骤，所述熔融盐层覆盖所述铝合金熔体的表面的至少一部分。这种方法使得Mg从所述铝合金熔...

一个目的在于提供一种当从原料为废料等的铝合金熔体中除去Mg时使用的金属除去剂。本发明提供一种金属除去剂，用于形成从铝合金熔体中吸收Mg的熔融盐层。所述金属除去剂含有：特定金属元素，是Cu、Zn或Mn中的一种以上；特定卤族元素，是Cl或B...

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对S...

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底(30)的制造方法，其包括：应变层薄化步骤(S1)，通过使SiC衬底体(10)的应变层(12)移动到表面侧来使应变层(...

本发明是所要解决的技术问题是提供高质量的SiC半导体装置。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC半导体装置的制造方法，其包括：生长步骤，在包括SiC单晶的被处理体上形成生长层；器件形成步骤，在所述生长层中形成SiC半导体装置的至少一部分...

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述...

本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC...

本发明所要解决的技术问题是提供一种与具有能够降低电阻的位错转变层的SiC衬底和SiC半导体相关的新技术。本发明是一种SiC衬底和一种SiC半导体装置，其包括掺杂浓度为1

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、...

本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。进行加热的高温真空炉。进行加热的高温真空炉。

本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤(S10)，蚀刻SiC原衬底(10)；晶体生长步骤(S20)，在SiC原衬底(10)上使SiC衬底层(13)生长来获得...