SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片制造方法及图纸

本发明专利技术要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明专利技术提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明专利技术是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。1800℃以上进行加热。1800℃以上进行加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片


[0001]本专利技术涉及SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC：silicon carbide)与硅(Si：silicon)相比，具有优异的绝缘破坏强度、热传导率和放射线耐性等材料特性，因而作为构成电子器件的材料正在推进研究开发。
[0003]常规上，SiC单晶衬底的“翘曲”被视为问题。“翘曲”例如是在曝光过程中曝光距离偏离光学系统的焦距的主要因素，也是阻碍合适的晶片卡盘的主要因素。
[0004]针对这样的问题，提出了通过对SiC单晶衬底实施退火热处理来减少由加工应变引起的“翘曲”的技术。
[0005]例如，在专利文献1中记载如下技术：在双面研磨抛光之后，在碳化硅非腐蚀性气体气氛下，在1300℃以上且2000℃以下的温度下进行退火热处理。由此，减少加工应变引起的“翘曲”。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2008
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC单晶的制造方法，包括：将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤加热所述SiC单晶主体，使得所述SiC单晶主体的厚度和直径不改变。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤在准封闭空间内加热所述SiC单晶主体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤在包含惰性气体的气氛下加热所述SiC单晶主体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤加热所述SiC单晶主体，并使所述SiC单晶主体的温度均匀。6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，还包括：将所述SiC单晶主体和SiC原料主体在包含Si元素和C元素的气氛下在1400℃以上进行加热的热处理步骤，所述热处理步骤包括蚀刻步骤和/或生长步骤。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述热处理步骤将所述SiC单晶主体和SiC原料主体以所述SiC单晶主体为高温侧、所述SiC原料主体为低温侧的方式进行加热并蚀刻所述SiC单晶主体。8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，所述热处理步骤将所述SiC单晶主体和SiC原料主体以所述SiC单晶主体为低温侧、所述SiC原料主体为高温侧的方式进行加热并使所述SiC单晶主体进行晶体生长。9.根据权利要求6至8中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括将所述SiC单晶主体和SiC原料主体在Si/C原子数比为1以下的准封闭空间内进行加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子忠昭，
申请(专利权)人：丰田通商株式会社，
类型：发明
国别省市：