溅射靶及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明专利技术的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的。本专利技术的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。【专利说明】
本专利技术涉及一种在形成用于形成薄膜型太阳能电池的光吸收层的Cu-1n-Ga-Se化合物膜(以下有时略记为CIGS膜)时使用的。
技术介绍
近年来，由黄铜矿系化合物半导体形成的薄膜型太阳能电池供于实际应用，由该化合物半导体形成的薄膜型太阳能电池具有如下基本结构:在钠钙玻璃基板之上形成有成为正电极的Mo电极层,在该Mo电极层之上形成有由CIGS膜构成的光吸收层,在该光吸收层上形成有由ZnS、CdS等构成的缓冲层，在该缓冲层上形成有成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶，其特征在于，具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的Na化合物的凝集体平均存在一个以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：张守斌，梅本启太，小路雅弘，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP