【技术实现步骤摘要】
氧化锌基溅射靶及其制备方法和薄膜晶体管本申请要求于2013年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0020890号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种氧化锌基溅射靶，更具体地讲，涉及一种制备氧化锌基溅射靶的方法以及一种包括通过该氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管。
技术介绍
液晶显示装置或电致发光显示装置提供高显示性能和低功率消耗。液晶显示装置或电致发光显示装置被广泛用于蜂窝电话、个人计算机、文字处理机和电视机。此类显示装置可以通过晶体管来驱动，所述晶体管包括由精细图案形成的薄膜晶体管(TFT)。精细图案的电极可以是例如栅电极、源电极和漏电极。示例性电极材料可包括铝、钥等。然而，对于高清显示器而言，会需要具有高导电率的材料。铜，与其他金属材料相比具有相对高的电导率并且较便宜，可被用作电极材料。铜电极具有优异的电导率，因此即使当铜电极比其他电极薄时也能实现同样的特性。于是，在加工中可以减少节拍时间，并且也可以降低生产成本。铜电极可应用于要求高电导率规格的产品。然而，铜电极具有与其他...
【技术保护点】
一种氧化锌基溅射靶，包括：烧结体，包括掺杂有基于氧化锌重量的1%w/w至50%w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及背衬板，背衬结合到烧结体的背面，背衬板支撑烧结体。
【技术特征摘要】
2013.02.27 KR 10-2013-00208901.一种氧化锌基溅射靶，包括: 烧结体，包括掺杂有基于氧化锌重量的l%w/w至50%w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及 背衬板，背衬结合到烧结体的背面，背衬板支撑烧结体。2.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶，其中，所述烧结体具有IX10_2Ω.αη或更小的电阻率。3.根据权利要求2所述的氧化锌基溅射靶，其中，所述氧化锌基溅射靶能够执行直流溅射。4.根据权利要求3所述的氧化锌基溅射靶，其中，向所述氧化锌基溅射靶施加0.1ff/cm2至8W/cm2范围内的功率密度。5.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶，其中，所述烧结体具有5.6g/cm3或更大的山/又ο6.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶，其中，氧化铟的聚集体以小于Iμ m的尺寸分散在所述烧结体内。7.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶，其中，所述烧结体包括属于元素周期表第3族的一种或更多种元素，或者包括属于元素周期表第4族的一种或更多种元素，或者包括来自元素周期表第3族或第4族的两种或更多种元素的组合。8.一种薄膜晶体管，包括: 铜层，包括栅电极、源电极、漏电极和/或布线； 阻挡层，通过使用氧化锌基溅射靶的溅射沉积在铜层上，所述氧化锌基溅射靶具有烧结体，所述烧结体包括掺杂有基于氧化锌重量的l%w/w至50%w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及 氧化物层，沉积在阻挡层的顶部上。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有10μ m至5000 μ m范围内的晶体尺寸。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有30nm至50nm范围内的厚度。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有IX...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴在佑，金东朝，朴柱玉，孙仁成，尹相元，李建孝，李镕晋，李伦圭，金度贤，全祐奭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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