发光装置、超辐射发光二极管及投影器制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部中发生COD破坏。本发明专利技术涉及的发光装置100包括活性层106、和夹持活性层106的第1包覆层104和第2包覆层108，活性层106构成使光波进行传导的光波导通路160，光波导通路160为在被设置在活性层106的第1侧面131并使光反射的第1反射部190，在光波导通路160传导的光波的行进方向发生变化，从活性层106和第1包覆层104的层叠方向观察，第1反射部190位于设置有第1包覆层104和第2包覆层108的区域的外侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置、超辐射发光二极管及投影器。
技术介绍
超辐射发光二极管（Super Luminescent Diode，以下也称为“SLD”）是如下的半导体发光元件，即，与普通的发光二极管同样地显示非相干性，且显示宽带的光谱形状，同时在光输出特性中与半导体激光同样地能够以单一的元件得到达数百mW左右的输出。SLD例如作为投影器的光源使用，但为了实现小型且高亮度的投影器，需要使用光输出大且光学扩展量（Etendue）小的光源。因此，期望从光波导通路射出的光向相同的方向行进。例如在专利文献1中，公开了一种具备在活性层的反射部（反射面）光的行进方向发生变化的光波导通路的发光装置，这样的发光装置能够使从2个光射出部射出的光向相同的方向行进。专利文献1：日本特开2011-155103号公报然而，在如上所述的发光装置中，难以使反射部（反射面）以原子水平形成为平坦的面，有时在反射部形成微细的凹凸。因此，在反射部和反射部附近的包覆层产生由非发光再结合引起的发热，有时因该发热而引起在反射部的光吸收增大，在反射部发生COD（Catastrophic Optical Damage，光学灾变）破坏。本专利技术的几个方式涉及的目的之一在于提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的反射部发生COD破坏。另外，本专利技术的几个方式涉及的目的之一在于提供一种超辐射发光二极管，该超辐射发光二极管能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的反射部发生COD破坏。另外，本专利技术的几个方式涉及的目的之一在于提供一种投影器，该投影器包括上述发光装置或上述超辐射发光二极管。
技术实现思路
本专利技术涉及的发光装置包括：活性层；和夹持上述活性层的第1包覆层和第2包覆层，上述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，上述光波导通路为，在被设置于上述活性层的第1侧面且使光反射的第1反射部，在上述光波导通路内传导的光波的行进方向发生变化，从上述活性层和上述第1包覆层的层叠方向观察，上述第1反射部位于设置有上述第1包覆层和上述第2包覆层的区域的外侧。根据这样的发光装置，能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部发生COD破坏。在本专利技术涉及的发光装置中，在上述第1反射部可以扩散有II族或XII族的元素。根据这样的发光装置，能够使构成第1反射部的活性层的带隙比活性层中的没有扩散II族或XII族的元素的部分的带隙大。其结果，在第1反射部中，能够抑制量子阱中的光的再吸收，能够抑制COD破坏的发生。在本专利技术涉及的发光装置中，上述光波导通路可以具有：第1部分，连接被设置在上述活性层的第2侧面的第1射出部和上述第1反射部、且具有带状形状；第2部分，连接上述第1反射部和被设置在上述活性层的第3侧面的第2反射部、且具有带状形状；和第3部分，连接上述第2反射部和被设置在上述第2侧面的第2射出部、且具有带状形状。在这样的发光装置中，能够在不增加与第2部分的延伸方向正交的方向的长度的情况下，通过第2部分来调整第1射出部与第2射出部之间的间隔。由此，在使用这样的发光装置作为投影器的光源时，例如，能够根据微透镜（透镜阵列）的大小，容易地调整第1射出部与第2射出部之间的间隔。在本专利技术涉及的发光装置中，从上述活性层和上述第1包覆层的层叠方向观察，上述第1部分和上述第2部分可以相对于上述第1侧面的垂线以第1角度倾斜地与上述第1反射部连接，上述第2部分和上述第3部分可以相对于上述第3侧面的垂线以第2角度倾斜地与上述第2反射部连接，上述第1角度和上述第2角度可以为临界角以上。根据这样的发光装置，第1反射部和第2反射部能够使在光波导通路产生的光发生全反射。因此，在这样的发光装置中，能够抑制第1反射部和第2反射部中的光损失，能够高效率地反射光。在本专利技术涉及的发光装置中，从上述活性层和上述第1包覆层的层叠方向观察，上述第1部分可以相对于上述第2侧面的垂线倾斜地与上述第1射出部连接，上述第3部分可以相对于上述第2侧面的垂线倾斜地与上述第2射出部连接。在这样的发光装置中，能够减少在光波导通路产生的光在第1射出部与第2射出部之间直接地多重反射。因此，能够不构成直接的谐振器，能够抑制在光波导通路产生的光的激光振荡。因此，在这样的发光装置中，能够减少斑点噪声。在本专利技术涉及的发光装置中，上述活性层可以由GaInP层和AlGaInP层构成，上述第1包覆层和上述第2包覆层可以为AlInP层，或者镓组成与构成上述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。在这样的发光装置中，H3PO4系蚀刻液对活性层的蚀刻速度比H3PO4系蚀刻液对第1包覆层和第2包覆层的蚀刻速度小。因此，通过用H3PO4系蚀刻液对活性层、第1包覆层和第2包覆层进行湿法蚀刻，从而能够容易地形成活性层的突出部。在本专利技术涉及的发光装置中，上述第1侧面可以是通过蚀刻而形成的蚀刻面。根据这样的发光装置，构成第1反射部的第1侧面与通过劈开而形成的劈开面相比，容易形成微细的凹凸，但由于第1反射部在俯视图中位于第1包覆层和第2包覆层的外缘的外侧，所以第1包覆层和第2包覆层中的非发光再结合引起的发热不易传导到第1反射部，能够抑制在第1反射部发生COD破坏。在本专利技术涉及的发光装置中，可以包括覆盖上述第1反射部、且具有比上述活性层低的折射率的低折射率层。根据这样的发光装置，能够抑制在光波导通路产生的光从第1反射部泄露并保护第1反射部。本专利技术涉及的投影器包括：本专利技术涉及的发光装置；光调制装置，根据图像信息来调制从上述发光装置射出的光；和投射装置，投射由上述光调制装置形成的图像。根据这样的投影器，可以包括发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部发生COD破坏。本专利技术涉及的超辐射发光二极管包括：活性层；和夹持上述活性层的第1包覆层和第2包覆层，其中，上述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，上述光波导通路为，在被设置于上述活性层的第1侧面且反射光的第1反射部，在上述光波导通路传导的光波的行进方向发生变化，从上述活性层和上述第1包覆层的层叠方向观察，上述第1反射部位于设置有上述第1包覆层和上述第2包覆层的区域的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：活性层，和夹持所述活性层的第1包覆层和第2包覆层；所述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，所述光波导通路为，在被设置在所述活性层的第1侧面并使光反射的第1反射部，在所述光波导通路传导的光波的行进方向发生变化，从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，所述第1反射部位于设置有所述第1包覆层和所述第2包覆层的区域的外侧。

【技术特征摘要】
2013.01.21 JP 2013-0080941.一种发光装置，其特征在于，包括：
活性层，和
夹持所述活性层的第1包覆层和第2包覆层；
所述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，
所述光波导通路为，在被设置在所述活性层的第1侧面并使光反射
的第1反射部，在所述光波导通路传导的光波的行进方向发生变化，
从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，所述第1反射部
位于设置有所述第1包覆层和所述第2包覆层的区域的外侧。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述第1反
射部扩散有II族或XII族的元素。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述光波
导通路具有：
第1部分，连接被设置在所述活性层的第2侧面的第1射出部和所
述第1反射部、且具有带状形状；
第2部分，连接所述第1反射部和被设置在所述活性层的第3侧面
的第2反射部、且具有带状形状；和
第3部分，连接所述第2反射部和被设置在所述第2侧面的第2射
出部、且具有带状形状。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，从所述活性层
和所述第1包覆层的层叠方向观察，
所述第1部分和所述第2部分相对于所述第1侧面的垂线以第1角
度倾斜地与所述第1反射部连接，
所述第2部分和所述第3部分相对于所述第3侧面的垂线以第2角
度倾斜地与所述第2反射部连接，
所述第1角度和所述第2角度为临界角以上。
5.根据权利要求3或4所述的发光装置，其特征在于，从所述活
性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，
所述第1部分相对于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月理光，名川伦郁，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP