一种含侧边吸收区的超辐射发光管制造技术

本发明专利技术涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明专利技术利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小了脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射，有效抑制了可能形成的反馈回路，减小了激射对器件的光谱特性产生的不良影响，实现了超辐射发光管平滑的较宽的光谱输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，具体涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管。
技术介绍
超辐射为放大的自发发射ASE(AmplifiedSpontaneousEmission)，超辐射发光管(SLD)即是一种放大自发发射的半导体器件。超辐射发光管发射的光在波导中传播时获得光增益，但不存在光反馈(理想情况下)或者光反馈很弱，因而不会形成激射振荡，可将其视为一种具有单程光增益的半导体光放大器，它辐射出的光为弱相干光，其光学特性介于半导体激光器与发光二极管之间。与一般发光二极管相比，超辐射发光管的输出功率更高，并且光斑尺寸小，光的发散角较小，易于与单模光纤耦合；与激光器相比，在具有相当的输出光功率的同时，超辐射发光管具有宽的光谱和更短的相干长度，可以显著地降低光纤圈中瑞利(Rayleigh)背向散射的瞬时波动和非线性克尔效应所引起的噪声；而且超辐射发光管的温度特性比较好，这些独特的优异性弥补了半导体激光器与一般发光二极管的不足，也使超辐射发光管成为光纤陀螺，光纤水听器，光时域反射仪(OTDR)、局域网(LAN)，波分复用光纤通讯以及光处理技术等许多应用领域的理想光源。正因为如此，自从l971年本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含侧边吸收区的超辐射发光管，其特征在于，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。

【技术特征摘要】
1.一种含侧边吸收区的超辐射发光管，其特征在于，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。2.根据权利要求1所述的超辐射发光管，其特征在于，所述侧边吸收区为一段或多段。3.根据权利要求2所述的超辐射发光管，其特征在于，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的同侧。4.根据权利要求2所述的超辐射发光管，其特征在于，当所述侧边吸收区为多段时，所述多段侧边吸收区位于脊的不同侧。5.根据权利要求4所述的超辐射发光管，其特征在于，所述脊的同一侧的侧边吸收区为一段或多段。6.根据权利要求4或5所述的超辐射发光管，其特征在于，所述多段...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东豪，林琦，林中晞，苏辉，薛正群，陈阳华，王凌华，訾慧，徐玉兰，陈景源，林乐，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35