鳍式场效晶体管中栅极的分离方法技术

本发明专利技术公开了一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其包括：在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；以及去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。本发明专利技术中，在分离栅极时，由于在前期结构中增加了牺牲层，可以准确的控制刻蚀的准确度，避免对结构的损伤，从而可以降低自对准的难度。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管中栅极的分离方法
本专利技术属于半导体
，具体地说，涉及一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法。
技术介绍
鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor，简称FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。是对传统标准的Fet(晶体管—场效晶体管,Field-effecttransistor，FET)的改进。鳍式场效晶体管FinFET可以根据需要调节器件的阈值电压，进一步降低静态能耗(staticpowerconsumption)。目前，鳍式场效晶体管FinFET包括三端FinFET(3terminalFinFet，简称3T-FinFet)、四端FinFET(4terminalFinFet，简称4T-FinFet)。图1为现有技术中3T-FinFet的简要结构示意图；如图1所示，其包括一个源极S101、一个漏极D102，以及一个栅极G103，共计三个端头。现有技术中3T-FinFet的等效电路示意图如图2所示。图3为现有技术中4T-FinFet的简要结构示意图；如图3所示，其包括一个源极S201、一个漏极D202，以及一个栅极G1203、另外一个栅极G2204，共计4个端头。现有技术中4T-FinFet的等效电路示意图如图4所示。其中，对于4T-FinFet来说，为了得到两个栅极，现有技术提供了两种解决技术方案：第一种方式是利用化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，简称CMP)将鳍Fin300顶端的栅极研磨掉，其研磨前后的结构示意图，如图5和图6所示；第二种方式是增加一道光罩400，将鳍Fin300顶端的栅极刻蚀掉，刻蚀前后的结构示意图如图7和图8所示。但是，利用上述工艺形成两个栅极时，如果栅极与源/漏区域之间存在有间隙的话，则器件工作时沟道就不能导通，因此，在栅极与源/漏区域之间需要设置了一定的重叠覆盖部分。但是，如果此重叠部分过大、使得栅-源之间和栅-漏之间的寄生电容增大，导致器件的高频特性变坏。所以，为了使器件能够导通，而又不致使器件的高频特性劣化，就要求栅-源之间或栅-漏之间的重叠部分尽量的小，即达到高精度的对准，即自对准。但是，专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，由于刻蚀或者研磨，容易造成结构的损伤，进一步很难准确保证在栅极与源/漏区域之间重叠覆盖部分，因此，导致自对准程度难以控制。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法及鳍式场效晶体管半成品结构，用以解决现有技术中由于刻蚀或者研磨容易造成结构的损伤，导致自对准程度难以控制。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其包括：在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种鳍式场效晶体管半成品结构，其包括：栅极层；保护层，位于所述鳍式场效晶体管的鳍顶端；牺牲层，位于所述栅极层上表面。优选地，在本专利技术的一实施例中，半成品结构还包括一光罩，位于经化学机械研磨停止所述保护层。优选地，在本专利技术的一实施例中，所述保护层的材料为SiN或SiON。优选地，在本专利技术的一实施例中，所述牺牲层的材料为氧化物材料。与现有的方案相比，在分离栅极时，由于在前期结构中增加了牺牲层，可以准确的控制刻蚀的准确度，避免对结构的损伤，从而可以降低自对准的难度。附图说明图1为现有技术中3T-FinFet的简要结构示意图；图2为现有技术中3T-FinFet的等效电路示意图；图3为现有技术中4T-FinFet的简要结构示意图；图4为现有技术中4T-FinFet的等效电路示意图；图5和图6为现有技术中晶体管研磨前后的结构示意图；图7和图8为现有技术中晶体管刻蚀前后的结构示意图；图9为本专利技术实施例一鳍式场效晶体管中栅极的分离方法流程示意图；图10为经步骤S901之后的晶体管半成品结构示意图；图11为经步骤S902处理之后的晶体管半成品结构示意图；图12为经步骤S903处理之后的晶体管半成品结构示意图；图13为经步骤S904处理之后的晶体管半成品结构示意图；图14为经步骤S905、S906处理之后的晶体管半成品结构示意图；图15为经步骤S907处理之后的晶体管半成品结构示意图。具体实施方式以下将配合图式及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，藉此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。图9为本专利技术实施例一鳍式场效晶体管中栅极的分离方法流程示意图；如图9所示，本实施例中的具体技术方案可以包括：步骤S901、在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层；图10为经步骤S901之后的晶体管半成品结构示意图；如图10所示，鳍1001和栅极层1002可形成于一埋置氧化层1000(buriedoxide，简称BOX)的上表面，此处是以SOIwafer做例子，实际上，鳍1001和栅极层1002也可以形成于实用体硅wafer上。步骤S902、在所述栅极层上表面设置一牺牲层；图11为经步骤S902处理之后的晶体管半成品结构示意图；如图11所示，在栅极层1002上表面形成有一牺牲层1003，以防止在后续化学机械研磨过程中损伤到牺牲层1003下方的结构。具体地，可以通过沉积技术如化学气相沉积将氧化物材料沉积在保护层的上表面。栅极层1002的材料一般选用polySi，牺牲层1003可以选氧化硅。栅极层1002和牺牲层1003均可用化学气相沉积。优选地，在本实施例中，具体的沉积工艺参数为：温度400-700℃，压力300-600torr，TEOS流量1-5克/分钟，载气He流量10000-20000sccm，载气N2流量20000-35000sccm，反应气体O3流量20000-40000sccm。步骤S903、对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；本实施例中，化学机械研磨的具体工艺参数为：转盘的转速在60-100rpm之间，所述研磨头的转速在80-120rpm之间。对所述研磨头中央区域施加1-5psi之间的下压力，边缘区域施加2-10psi之间的下压力，过研磨时间设置为主研磨时间的20％-50％，提供的研磨液的流量可以设置在100-500ml/min之间。图12为经步骤S903处理之后的晶体管半成品结构示意图；如图12所示，经过化学机械研磨，使设置牺牲层1003之后的结构表面平坦化。步骤S904、有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；本实施中，可以通过光蚀刻技术形成光罩。图13为经步骤S904处理之后的晶体管半成品结构示意图；如图13所示，栅极层1002和牺牲层1003上表面形成一光罩1004(photoresist，简称PR)。步骤S905、通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其特征在于，包括：在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其特征在于，包括：在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31