一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示屏。所述阵列基板包括：栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素，每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极，所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连，所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸，其中，每个像素内还包括：与所述公共电极信号线同层形成并延所述数据线方向延伸的公共电极连通线，所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接。本发明专利技术使得像素电阻值变小，减少了液晶显示屏整体画面偏绿的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏
本专利技术涉及液晶显示屏
，尤其涉及一种高级超维场转换技术(AD-SDS)模式的阵列基板及其制造方法、液晶显示屏。
技术介绍
高级超维场转换技术(Advanced-SuperDimensionalSwiting，AD-SDS)是平面电场宽视角核心技术，其通过统一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示屏)画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹等优点。AD-SDS显示模式的TFT液晶显示屏的工作方式均需要一个公共电极。对公共电极电平为直流的TFT液晶显示屏，理想状态下公共电极电压为稳定的电平。但是实际显示过程中，由于栅线和数据线上信号的变化，时常会通过公共电极与栅线和数据线间的耦合电容而影响公共电极的电压，使其不能保持稳定的电平。在显示屏尺寸较小的情况下，公共电极的尺寸较小且与栅线和数据信号线的交叠面积较小，所以公共电极的电阻值及其寄生电容值较小，公共电极电位受到的影响也较小，因此公共电极电压可以维持的较好且在整个面板的均一性比较好。图1示出了现有技术中TFT液晶显示屏的结构示意图，图2(a)～图2(b)示出了现有技术中TFT液晶显示屏的制作工艺流程图。如图1及2所示，所述TFT液晶显示屏包括：基板101、公共电极102、栅极层103、有源层及源漏极104、钝化层105、像素电极106。从图2(b)可以看出，栅极层103上刻蚀形成有栅线1031、公共电极上方的公共电极信号线1032和公共电极下方的过孔区域1033。公共电极信号从外部输入点输入后，在水平方向的像素单元之间通过水平方向上的公共电极信号线1032传输，而在竖直方向即上下两行像素单元之间通过公共电极102上ITO材料传输至公共电极下方的过孔区域1033，然后通过连通过孔区域1033和下一行公共电极信号线之间的跳线传输下一行像素单元。公共电极102通常选用ITO材料，而一般ITO的方块电阻是金属层方块电阻的好几百倍，由于水平方向的多个像素单元的公共电极之间的公共电极信号线1032由栅极层103形成，而栅极层通常是金属材料构成，因此公共电极水平方向的电阻值即水平方向多个像素单元公共电极之间的公共电极信号线上的电阻值远小于竖直方向即公共电极信号线和过孔区域间的电阻值。由于水平方向上公共电极电压信号通过公共电极信号线传输，而竖直方向上通过公共电极传输至所述过孔区域，传输至所述过孔区域的公共电极信号通过跳线传输至下方像素单元的公共电极信号线，所述跳线用于连接所述过孔区域和下方像素单元的公共电极信号线，且由像素电极层即ITO层构成。因此，当液晶显示屏尺寸较大时，公共电极的尺寸较大且与栅线和数据信号线的交叠面积较大，因此公共电极受到的总体影响较大，且由于尺寸较大，距离公共电极信号输入点较远处的公共电极电压受到的影响不容易恢复，如此就会引起像素液晶偏转电压，导致显示色彩的差异。且由于人眼对绿色比较敏感，因此所看到的某些显示图案是显示屏整体画面偏绿。因此，为减小画面偏绿的现象，需要降低公共电极的电阻值。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是如何减少公共电极上的电阻，以避免液晶显示屏整体画面偏绿的问题。根据本专利技术一方面，其提供了一种阵列基板，其包括：栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素，每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极，所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连，所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸，其中，每个像素内还包括：与所述公共电极信号线同层形成并延所述数据线方向延伸的公共电极连通线，所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接。其中，所述公共电极连通线经由过孔和跳线连接下一行像素单元的公共电极信号线。其中，所述跳线与像素电极以相同材料同层形成。其中，所述跳线由辅助导电层和所述像素电极所在的层层叠而成。其中，所述栅线采用金属或金属化合物材料制成。其中，所述栅线采用钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼、或铬中的一种或多种的组合制成。其中，所述公共电极和像素电极层采用铟锌氧化物和铟锡氧化物中的一种或两种的组合制成。其中，所述导电层为金属层或低电阻率导电层。根据本专利技术第二方面，其提供了一种液晶显示屏，其包括如上所述的阵列基板。根据本专利技术第三方面，其提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成多个公共电极；在形成有公共电极的基板上沉积栅极层，并对其进行刻蚀形成栅极图形；其中，栅极图形包括栅线、公共电极信号线以及公共电极连通线；其中，所述公共电极信号线与所述栅线同向延伸，所述公共电极连通线、所述公共电极信号线以及公共电极分别电连接；依次沉积有源层、源漏极层、钝化层和像素电极层，并进行相应刻蚀形成多个驱动晶体管、与所述栅线交叉设置的数据线、多个与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极；所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连；其中，所述多个驱动晶体管、多个所述像素电极以及多个所述公共电极构成多个像素，所述公共电极连通线延所述数据线方向延伸。根据本专利技术第四方面，其提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成公共电极；在形成有公共电极的基板上沉积栅极层，并对其进行刻蚀形成栅极图形；其中，栅极图形包括栅线、公共电极信号线以及公共电极连通线；其中，所述公共电极信号线与所述栅线同向延伸，所述公共电极连通线、所述公共电极信号线以及公共电极分别电连接；依次沉积有源层、源漏极层和钝化层，并进行相应刻蚀形成多个驱动晶体管以及与所述栅线交叉设置的数据线，所述驱动晶体管的源极和漏极之一与所述数据线相连；沉积导电层，刻蚀形成连接所述过孔区域和对应下一行像素单元的公共电极信号线的第一层跳线；沉积像素电极层，并刻蚀形成像素电极层图形；其中，所述像素电极层图形包括与第一层跳线完全重合的第二层跳线以及多个与所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个相连的像素电极；其中，所述多个驱动晶体管、多个所述像素电极以及多个所述公共电极构成多个像素，所述公共电极连通线延所述数据线方向延伸。本专利技术提出的液晶显示屏的每个像素单元通过栅极层将上公共电极信号线和与下公共电极信号线导电连接的过孔区域连通，进而使得上下像素单元间的电阻值变小。此外，本专利技术还提出在液晶显示屏的每个像素单元中与下公共电极信号线导电连接的过孔区域和下公共电极信号线之间的跳线区域处增加一层导电层，以进一步降低上下公共电极信号线之间的电阻值。对于任何尺寸的液晶显示屏而言，由于上下像素单元间的电阻值变小，在受到栅线和数据线影响后，距离外部公共电极信号较远处的公共电极电压能够及时得到补充，进而能够快速恢复正常的公共电极电压，不容易引起像素液晶的偏转电压偏离目标值，减少了液晶显示屏整体画面偏绿的现象。本专利技术第一实施例中提出的液晶显示屏尤其适合中小尺寸液晶显示屏，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其包括：栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素，每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极，所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连，所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸，其中，每个像素内还包括：与所述公共电极信号线同层形成并延所述数据线方向延伸的公共电极连通线，所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其包括：栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素，每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极，所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连，所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸，其中，每个像素内还包括：与所述公共电极信号线同层形成并沿所述数据线方向延伸的公共电极连通线，所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接；其中，所述公共电极连通线经由过孔和跳线连接下一行像素单元的公共电极信号线。2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述跳线与像素电极以相同材料同层形成。3.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述跳线由导电层和所述像素电极所在的层层叠而成。4.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅线采用金属或金属化合物材料制成。5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述栅线采用钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼、或铬中的一种或多种的组合制成。6.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述公共电极和像素电极层采用铟锌氧化物和铟锡氧化物中的一种或两种的组合制成。7.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述导电层为金属层或低电阻率导电层。8.一种液晶显示屏，其包括如权利要求1～7之任一项所述的阵列基板。9.一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成多个公共电极；在形成有公共电极的基板上沉积栅极层，并对其进行刻蚀形成栅极图形；其中，栅极图形包括栅线、公共电极信号线以及公共电极连通线；其中，所述公...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨通，王国磊，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34