一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，当该阵列基板应用于显示装置时，能够减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。该阵列基板包括衬底基板，设置在衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极；还包括位于像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层；凸起包括多个第一凸起，第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；其中，第一凸起与靠近第一凸起的相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于衬底基板的方向，第一凸起的高度大于像素电极的高度。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示
，当该阵列基板应用于显示装置时，能够减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。该阵列基板包括衬底基板，设置在衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极；还包括位于像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层；凸起包括多个第一凸起，第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；其中，第一凸起与靠近第一凸起的相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于衬底基板的方向，第一凸起的高度大于像素电极的高度。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。【专利说明】一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-1XD Display)技术的发展和进步，液晶显示器装置已经取代了阴极射线管显示装置成为了日常显示领域的主流显示装置。目前，为了不断提高液晶显示装置显示图像的质量，其分辨率在不断地提高，力求为消费者提供更为清晰逼真的显示画面。分辨率定义为液晶显示装置中每英寸面积内的像素的数量，这样以来，分辨率越高则液晶显示装置中像素单元的尺寸就越小，相应地，如图1所示，相邻的两个像素单元中的像素电极50之间的间距d也越来越小，当给像素电极50通入一定的工作电压时，将导致相邻的两个像素电极50之间的电场发生干扰(如图中箭头所示)，从而影响显示画面的质量。例如，如图2所示，当仅要求某一像素单元(标记为a)对应的液晶分子90偏转而与该像素单元相邻的另一个像素单元(标记为b)对应液晶分子90不发生偏转时，由于像素单元a与像素单元b之间的间隔很小，使得相邻的两个像素电极50之间的电场发生干扰，导致相邻的像素单元a与像素单元b之间的液晶分子90，以及像素单元b靠近像素单元a的边缘处对应的液晶分子发生偏转，从而使液晶显示装置中相邻的像素单元产生混色、漏光等现象，影响了液晶显示装置的显示的效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，当该阵列基板应用于显示装置时，可减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极；所述阵列基板还包括位于所述像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层；所述凸起包括多个第一凸起，所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；其中，所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。可选的，沿所述第一方向，所述第一凸起的宽度大于等于所述数据线的宽度。可选的，所述凸起还包括多个第二凸起；所述第二凸起至少设置在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；其中，所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。优选的，沿所述第二方向，所述第二凸起的宽度大于等于所述栅线的宽度。可选的，所述相邻的两个像素电极相对于对应的一个所述凸起的中线对称。优选的，所述阵列基板还包括公共电极；所述层间绝缘层位于包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层与包括所述公共电极的图案层之间。优选的，所述层间绝缘层包括依次设置在包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层上方的无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层，且所述凸起设置在所述第二绝缘层上。进一步优选的，所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的所述的阵列基板。另一方面，本专利技术实施例又提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管、数据线、以及栅线的步骤；在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤；在形成有包括凸起的层间绝缘层的基板上形成像素电极的步骤；其中，所述凸起包括多个第一凸起；所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；且所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。可选的，所述凸起还包括多个第二凸起；在形成所述第一凸起的同时，在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内形成所述第二凸起；且所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。优选的，在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤具体包括，在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成绝缘材料层；在形成有所述绝缘材料层的基板上涂覆光刻胶；采用半色调模板或灰色调掩模板，对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域，所述光刻胶完全去除部分对应所述薄膜晶体管的漏极的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域；对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分进行刻蚀，形成包括凸起的层间绝缘层。优选的，所述层间绝缘层，包括，在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上依次形成无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层，且所述凸起形成于所述第二绝缘层上。进一步优选的，在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成有机树脂材料的第二绝缘层的步骤具体包括，在形成有无机材料的第一绝缘层上形成有机树脂材料层，在形成有所述有机树脂材料层的基板上涂覆光刻胶；采用半色调掩模板或灰色调掩模板，对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域，所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域；对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半部分保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分进行刻蚀，形成第二绝缘层。优选的，所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。进一步优选的，在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成正性光刻胶材料或负性光刻胶材料的第二绝缘层的步骤具体包括，在形成有无机材料的第一绝缘层上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶；采用半色调掩模板或灰色调掩模板，对形成有所述正性光刻胶或所述负性光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域，所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域，所述光刻胶半保留部分对应其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极；其特征在于，还包括位于所述像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层；所述凸起包括多个第一凸起，所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内；其中，所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，曹占锋，姚琪，徐传祥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11