本发明专利技术涉及用于边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括：在绝缘基板的一个表面上沿一个方向形成的栅极线；在从栅极线延伸出的栅极上形成的有源层；在有源层的一侧上形成的具有源极的数据线，该数据线通过与栅极线交叉来界定像素区域；在有源层的另一侧上形成的、与源极隔开的且在绝缘基板的像素区域上的大像素电极；在数据线和源极上形成的平整层；在具有平整层的绝缘基板的整个表面上形成的钝化层；和在钝化层上形成的且与像素电极和数据线重叠的公共电极。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及用于，该阵列基板包括：在绝缘基板的一个表面上沿一个方向形成的栅极线；在从栅极线延伸出的栅极上形成的有源层；在有源层的一侧上形成的具有源极的数据线，该数据线通过与栅极线交叉来界定像素区域；在有源层的另一侧上形成的、与源极隔开的且在绝缘基板的像素区域上的大像素电极；在数据线和源极上形成的平整层；在具有平整层的绝缘基板的整个表面上形成的钝化层；和在钝化层上形成的且与像素电极和数据线重叠的公共电极。【专利说明】
本专利技术涉及液晶显示(LCD)装置，尤其涉及边缘场开关(FFS)模式LCD装置的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
通常，液晶显示(LCD)装置利用液晶的诸如光学各向异性和极性之类的特性。由于液晶分子具有细长结构和排列方向，所以能通过人工向液晶施加电场来控制液晶分子的排列。因此，当液晶分子的排列方向被随机地调整时，由于光学各项异性，光朝向液晶分子的排列方向折射，从而显示图像信息。目前，具有以矩阵形式排列的像素电极和薄膜晶体管的有源矩阵液晶显示(AM-1XD)装置正被开发成具有高分辨率和显示运动图像的能力。IXD装置包括具有公共电极的滤色器基板(即上基板)、具有像素电极的阵列基板(即下基板)和夹在上基板与下基板之间的液晶。IXD装置的公共电极和像素电极通过沿上下方向形成的电场来驱动液晶分子。因此,IXD装置具有高透射率和大开口率(aperture ratio)。但是，由于液晶分子由垂直形成的电场驱动，所以LCD装置具有小视角特征。因此，为了克服这个缺点，已提出诸如利用边缘场开关(FFS)的液晶驱动方法的技术。使用FFS的液晶驱动方法显示出大视角特点。以下，将参考图1与图2描述具有该优点的现有技术的FFS模式IXD装置。图1是根据现有技术的FFS模式IXD装置的示意性平面图。图2是沿图1的线II a-1I a与II b-1I b切割的、示意性地示出现有技术的FFS模式LCD装置的阵列基板的截面图。如图1与图2所示，根据现有技术的FFS模式IXD装置的阵列基板10可包括:在透明绝缘基板11上沿一个方向延伸且互相平行地隔开的多条栅极线14 ;与栅极线14交叉以便用交叉点界定像素区域的多条数据线23 ;和在栅极线14与数据线23之间的每个交叉点上设置的薄膜晶体管(T)，且该薄膜晶体管包括栅极13、有源层17、源极23a和漏极23b。在绝缘基板11的每一个像素区域的整个表面上可设置大透明像素电极29，并与栅极线14和数据线23隔开一定空间。在像素电极29上可设置呈条状的多个透明公共电极35，在像素电极29和公共电极35之间夹有平整膜(planarization film) 31。像素电极29可电连接至漏极23b。此外，栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别从栅极线14与数据线23的末端伸出。栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别连接至栅极焊盘连接图案35a与数据焊盘连接图案35b。通过这种配置，当经由TFT T向像素电极29施加数据信号时，在像素电极29与被施加公共电压的公共电极35之间会形成边缘场。因此，水平排列在绝缘基板11与结合至绝缘基板11的滤色器基板(未图示)之间的液晶分子可由于介电各向异性而旋转。液晶分子的旋转角可改变透过像素区域的光透射率。这样就可实现渐变。以下将参考图3示意性描述在制造现有技术的FFS模式LCD装置的阵列基板时采用的掩模工艺。图3是示出在制造现有技术的FFS模式LCD装置的阵列基板时使用的掩模工艺的流程图。如图3所示，制造现有技术的FFS模式IXD装置的阵列基板的工艺可包括:第一掩模工艺51，在绝缘基板11上形成栅极线14、栅极13、栅极焊盘13a和数据焊盘13b ;第二掩模工艺52，在栅极13上形成有源层17 ;第三掩模工艺53，在有源层17上形成数据线23和互相隔开的源极23a与漏极23b ;第四掩模工艺54，形成用于暴露漏极23b的漏极接触孔(未图示);第五掩模工艺55，形成通过漏极接触孔电连接至漏极23b的大像素电极29 ;第六掩模工艺56，形成分别用于暴露栅极焊盘13a与数据焊盘13b的栅极焊盘接触孔(未图示)与数据焊盘接触孔(未图示)；和第七掩模工艺57，形成栅极焊盘连接图案35a、数据焊盘连接图案35b和对应于像素电极29的公共电极35。另一方面，以下将参考图4A至4G示意性地描述通过上述七次掩模工艺制造现有技术的FFS模式LCD装置的阵列基板的方法。图4A至4G是示出现有技术的FFS模式IXD装置的阵列基板的制造工艺的截面图。如图4A所示，可在透明绝缘基板11上界定包括开关区域的多个像素区域。可用溅射方式在透明绝缘基板11上沉积第一导电金属层(未图示)。可利用光刻技术通过第一掩模工艺(未图示；参见图3中标号51)将第一导电金属层(未图示)图案化，从而形成栅极线(未图示；参见图1的标号14)、从栅极线14伸出的栅极13a以及与外部驱动电路电连接的栅极焊盘13a与数据焊盘13b。参考图4B，在包括栅极13的基板11的整个表面上沉积栅绝缘层15之后，可在栅绝缘层15上按顺序方式沉积非晶硅层(a-S1:H)(未图示)和含杂质的非晶硅层(η+或p+)(未图示)。然后，尽管未图不，可利用光刻通过第二掩模工艺(未图不；参见图3的标号52)图案化含杂质的非晶硅层U+或P+)与非晶硅层(a-S1:Η)，从而形成有源层17与欧姆接触层(未图示)。然后，参考图4C，可在包括有源层17与欧姆接触层(未图示)的整个绝缘基板11上沉积第二导电金属层(未图示)。可利用光刻通过第三掩模工艺(未图示；参见图3的标号53)选择性地图案化该第二导电金属层，形成与栅极线13垂直交叉的数据线23以及从数据线23伸出的源极23a和漏极23b。参考图4D，在包括数据线23的整个基板11上沉积钝化层25之后，可利用光刻通过第四掩模工艺(未图示；参见图3的标号54)选择性地图案化钝化层25，形成用于暴露漏极23b的漏极接触孔27以及分别用于暴露栅极焊盘13a与数据焊盘13b的栅极焊盘接触孔27a与数据焊盘接触孔27b。参考图4E，在包括暴露漏极23b的漏极接触孔27、暴露栅极焊盘13a与数据焊盘13b的栅极焊盘接触孔27a与数据焊盘接触孔27b的钝化层25上形成第一透明导电层(未图示)之后，可利用光刻通过第五掩模工艺(未图示；参见图3的标号55)选择性地图案化第一透明导电层，形成与漏极23b电连接的大像素电极29。参考图4F，在包括像素电极29的绝缘基板11的整个表面上形成平整层31之后，可利用光刻通过第六掩模工艺(未图示；参见图3的标号56)图案化平整层31，形成分别用于暴露栅极焊盘13a与数据焊盘13b的栅极焊盘开口 33a与数据焊盘开口 33b。参考图4G，在包括栅极焊盘开口 33a与数据焊盘开口 33b的平整层31上形成第二透明导电层(未图示)之后，可利用光刻通过第七掩模工艺(未图示；参见图3的标号57)选择性地图案化第二透明导电层，且形成对应于像素电极29的多个分离的公共电极35以及与栅极焊盘13a与数据焊盘13b电连接的栅极焊盘连接图案35a与数据焊盘连接图案35b。因此，可完成现有技术的FFS模式LCD装置的阵列基板的制造。然后，尽管未图示，可执行滤色阵列基板制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：栅极线，所述栅极线在绝缘基板的一个表面上沿一个方向形成；有源层，所述有源层形成在从所述栅极线延伸出的栅极上；数据线，所述数据线具有在所述有源层的一侧上形成的源极，并且所述数据线通过与所述栅极线交叉来界定像素区域；大像素电极，所述大像素电极形成在所述有源层的另一侧上，所述大像素电极与所述源极隔开，并且所述大像素电极在所述绝缘基板的所述像素区域上；平整层，所述平整层形成在所述数据线和所述源极上；钝化层，所述钝化层形成在具有所述平整层的所述绝缘基板的整个表面上；和公共电极，所述公共电极形成在所述钝化层上，且所述公共电极与所述像素电极和所述数据线重叠。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴文基，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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