【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。各向同性蚀刻所述第二半导体材料以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述第一半导体材料的第一半导体纳米线阵列，并且各向同性蚀刻所述第一半导体材料以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述第二半导体材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向包围二维半导体纳米线阵列。【专利说明】相关申请本申请与共同转让并且共同悬而未决的美国专利申请N0.13/692188有关，该申请通过引用的方式结合于本申请中。
本公开涉及半导体结构,尤其涉及混合纳米网(nanomesh)结构及其制造方法。
技术介绍
为P型场效应晶体管提供最佳性能的半导体材料不同于为η型场效应晶体管提供最佳性能的半导体材料。然而，以随机图形将采用不同半导体材料的P型场效应晶体管和η型场效应晶体管集成到同一衬底上是...
【技术保护点】
一种形成半导体结构的方法，包括：在单晶衬底层上形成第一半导体材料和不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料的交替叠层；在所述交替叠层上形成包括第一栅极腔和第二栅极腔的平面化电介质层；通过构图所述交替叠层的第一部分，在所述第一栅极腔之下形成多个第一半导体纳米线，所述第一半导体纳米线包括所述第一半导体材料；以及通过构图所述交替叠层的第二部分，在所述第二栅极腔之下形成多个第二半导体纳米线，所述第二半导体纳米线包括所述第二半导体材料。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·B·常，P·常，A·马宗达，J·W·斯雷特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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