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本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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