【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有电平移位电路的高耐压半导体装置。
技术介绍
IGBT（绝缘栅型双极晶体管）与功率MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）等功率器件，除了在电机控制用的逆变器以外，还可以在PDP（等离子显示面板）、液晶面板等的电源应用以及空调与照明之类的家电用逆变器等众多领域中应用。以往，这种功率器件的驱动以及控制，通过对光电耦合器等半导体元件与变压器等电子部件进行组合而构成的电子电路来进行。但是，近年来，随着LSI（大规模集成电路）技术的进步，用于AC400V系列工业用电源等中的达到1200V级别的高耐压IC也得到了实际应用。其结果，作为高耐压IC，内置有作为功率器件的高边栅极驱动器与低边栅极驱动器的栅极驱动器IC，还有使控制电路与功率器件集成在同一半导体基板上的单芯片逆变器IC等被系列化。该高耐压IC通过减少安装板的部件数量而为逆变器系统整体的小型化与高效化做出了贡献。图13是内置有通常电平移位电路的高耐压IC的电路图。该电路图是在...
【技术保护点】
一种高耐压半导体装置，其特征在于，具备：第2导电型半导体区域，其设置于第1导电型半导体基板上；逻辑电路，其设置于所述半导体区域的表面层；绝缘栅型场效应晶体管，其具有在所述半导体区域的外周侧设置的第2导电型源极区域、在所述半导体区域上隔着绝缘膜设置的栅极电极以及与所述半导体区域的外周端分开预定距离而设置在所述半导体区域的表面层的第2导电型漏极区域；第2导电型拾取区域，其与所述半导体区域的外周端分开所述预定距离并在所述半导体区域的表面层与所述漏极区域分开而设置；以及第1导电型开口部，其在从所述漏极区域起至经由所述半导体区域的夹在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之间的部分到达...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.16 JP 2011-2026811.一种高耐压半导体装置，其特征在于，具备：
第2导电型半导体区域，其设置于第1导电型半导体基板上；
逻辑电路，其设置于所述半导体区域的表面层；
绝缘栅型场效应晶体管，其具有在所述半导体区域的外周侧设置的第2
导电型源极区域、在所述半导体区域上隔着绝缘膜设置的栅极电极以及与所
述半导体区域的外周端分开预定距离而设置在所述半导体区域的表面层的第
2导电型漏极区域；
第2导电型拾取区域，其与所述半导体区域的外周端分开所述预定距离
并在所述半导体区域的表面层与所述漏极区域分开而设置；以及
第1导电型开口部，其在从所述漏极区域起至经由所述半导体区域的夹
在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之间的部分到达所述第2导电型
拾取区域的靠所述漏极区域侧的一部分的部分为止的区域与所述逻辑电路之
间，与所述漏极区域、所述第2导电型拾取区域以及所述逻辑电路分开设置，
并从所述半导体区域的表面达到所述半导体基板；
并具备负载电阻，其由所述半导体区域的、夹在所述漏极区域与所述第
2导电型拾取区域之间的部分构成。
2.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述负载电
阻为，在所述半导体区域的夹在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之
间的部分以与所述漏极区域和所述第2导电型拾取区域接触的方式设置的杂
质浓度比所述半导体区域高的第2导电型缓冲区域。
3.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，还具备：
第1导电型基极区域，其在所述半导体区域的外周侧的表面层以环状设
置；
第1导电型拾取区域，其设置于所述基极区域的内部，并且
所述源极区域设置于所述基极区域的内部。
4.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部
为，所述半导体区域的在与所述半导体基板侧相反的一侧的表面上使所述半
导体基板露出的区域。
5.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部
为，在所述半导体基板的表面层上选择性地形成的、杂质浓度比所述半导体
基板高的第1导电型扩散区域。
6.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部
具有从所述半导体基板的表面向所述半导体基板的深度方向所形成的沟槽和
埋设所述沟槽内的绝缘体。
7.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，在通过所述
开口部与所述半导体区域的pn结以及所述半导体区域与所述半导体基板的
pn结进行雪崩击穿之前，从所述pn结向所述开口部内扩展的耗尽层彼此相
互接触。
8.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述半...
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