【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了制造FinFET器件的许多不同的实施例，这些实施例提供了优于现有技术的一种或者多种改进。在一个实施例中，制造FinFET器件的方法包括提供半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的多个伪鳍和有源鳍。去除预定的伪鳍组。【专利说明】制造FINFET器件的方法
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说涉及制造FinFET器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经经历了呈指数型增长。在IC材料和设计的技术进步已经制造了几个时代1C，其中，每个时代都比先前时代具有更小并且更复杂的电路。在IC演进过程中，随着几何尺寸(S卩，可以使用制造工艺生产的最小部件(或者线路))减小，功能密度(即，单位芯片面积上互连器件的数量)通常增加。这种尺寸减小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本提供优势。这种尺寸减小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本提供优势。这种尺寸减小工艺也增加了加工和制造IC的复杂性，并且对于要实现的进步，需要IC加工和制造期间的类似发展。例如，已经引入了三维晶体管(例如，鳍式场效应晶体管(FinFET))来替换平面...
【技术保护点】
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底以形成包括伪鳍和有源鳍的鳍结构；在所述半导体衬底上形成图案化光刻胶层以限定第一组伪鳍和第二组伪鳍，其中，所述图案化光刻胶层暴露所述第一组伪鳍；通过所述图案化光刻胶层蚀刻所述第一组伪鳍；以及在蚀刻所述第一组伪鳍之后，在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离件(STI)。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢彦莹，吴集锡，丁国强，陈光鑫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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