The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device. In order to vertical trench gate type MOSFET region in a semiconductor substrate (21) and the control of transverse plane gate type MOSFET region (22) are respectively formed in a device, first of all, in the vertical trench gate type MOSFET region (21) forming a trench on a semiconductor substrate (33). Next, a first gate oxide film (7a) is formed along the inner wall of the trench (33). Subsequently, the polysilicon () is filled on the first gate oxide film (7a) by means of a polysilicon film (6a). Next, a LOCOS oxide film (11) is formed in the region of the separation device. Next, a second gate oxide film (7b) is formed on the semiconductor substrate in the laterally planar gate type MOSFET region (22). Thus, to have the following advantages: namely, can inhibit the increasing number of steps, the gate threshold voltage output level of MOSFET is higher than the gate threshold voltage control MOSFET, LOCOS (11) will not reduce the film thickness, and no residue in the groove (33).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造例如纵向沟槽栅型功率IC等，该纵向沟槽栅型功率IC中，纵向沟槽栅型半导体器件和平面栅半导体器件形成在同一半导体衬底上。
技术介绍
作为实现降低导通状态电阻和降低面积的半导体器件，提出有一种将MOS栅极(由金属一氧化膜一半导体形成的绝缘栅)区域形成在沟槽中的纵向半导体器件(下文中称为沟槽栅MOS半导体器件)。所谓纵向半导体器件是指，在形成有器件的半导体衬底上电流从前表面流向后表面或从后表面流向前表面的器件，即，电流沿半导体衬底的深度方向流动的器件。此外，作为能实现高可靠性、并能以低成本实现高耐破坏性的纵向沟槽栅型MOS半导体器件，提出有将纵向沟槽栅型MOS器件作为输出级半导体器件、并将用于控制和保护输出级半导体器件的控制半导体器件排列形成在同一半导体衬底上的半导体器件(下文中称为纵向沟槽栅型功率1C)。图6中示出了纵向沟槽栅型功率IC的主要部分的截面结构的一个例子。图6是表示现有的纵向沟槽栅型功率IC的结构的截面图。该纵向沟槽栅型功率IC中，纵向沟槽栅型MOSFET (绝缘栅场效应晶体管)区域21和横向平面栅型η沟道MOSFET区域22 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括主半导体器件部、器件分离部、及控制半导体器件部，所述主半导体器件部具有第一导电型的第1半导体区域、第二导电型半导体区域、第一导电型的第2半导体区域、沟槽、第一栅极氧化膜、及栅极电极，所述第一导电型的第1半导体区域形成在第一导电型半导体衬底的第一主面侧，所述第二导电型半导体区域选择性地形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的表面层上，所述第一导电型的第2半导体区域选择性地形成在所述第二导电型半导体区域的表面层上，所述沟槽从所述第二导电型半导体区域的表面起贯通所述第二导电型半导体区域和所述第一导电型的第2半导体区域并到达所述第一导...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.30 JP 2011-1458841.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括主半导体器件部、器件分离部、及控制半导体器件部， 所述主半导体器件部具有第一导电型的第I半导体区域、第二导电型半导体区域、第一导电型的第2半导体区域、沟槽、第一栅极氧化膜、及栅极电极，所述第一导电型的第I半导体区域形成在第一导电型半导体衬底的第一主面侧，所述第二导电型半导体区域选择性地形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的表面层上，所述第一导电型的第2半导体区域选择性地形成在所述第二导电型半导体区域的表面层上，所述沟槽从所述第二导电型半导体区域的表面起贯通所述第二导电型半导体区域和所述第一导电型的第2半导体区域并到达所述第一导电型半导体衬底，所述第一栅极氧化膜沿着所述沟槽的内壁而形成，所述栅极电极形成在所述沟槽内部的所述第一栅极氧化膜上， 所述器件分离部选择性地形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的表面上，具有比所述第一栅极氧化膜的厚度要厚的选择氧化膜， 所述控制半导体器件部控制所述主半导体器件部，具有第二导电型阱扩散区域、控制栅极电极、第一导电型控制源区、及第一导电型控制漏区，所述第二导电型阱扩散区域形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的、利用所述器件分离部而与所述主半导体器件部分开的部分的表面层，所述控制栅极电极形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面的第二栅极氧化膜上，所述第一导电型控制源区选择性地形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面层上，所述第一导电型控制漏区隔着所述第二导电型阱扩散区域的、与所述控制栅极电极相对的部分，形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面层上的、远离所述第一导电型控制源区的位置， 所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括: 沟槽形成步骤，该沟槽形成步骤将所述沟槽形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面上； 第一栅极氧化膜形成步骤，该第一栅极氧化膜形成步骤沿着所...
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