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本发明提供一种半导体器件的制造方法。为了在半导体衬底的纵向沟槽栅型MOSFET区域(21)和控制横向平面栅型MOSFET区域（22）中分别形成器件，首先，在纵向沟槽栅型MOSFET区域(21)的半导体衬底上形成沟槽(33)。接着，沿着沟槽(...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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