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本发明提供一种高耐压半导体装置。在p-硅基板（100）的表面层上，设有n阱区域（201）以及包围n阱区域（201）的n-区域（101）。n-区域（101）具备配置有高耐压MOSFET（71）、（72）的耐压区域。n阱区域（201）具备配置有...
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