【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件制造,更具体地,涉及从下层基础衬底去除半导体器件层的方法。
技术介绍
可以制造成薄膜形式的器件具有相对于其块体对应物的三个明显的优点。第一,因为使用更少的材料,薄膜器件减少与器件制造相关的材料成本。第二,低的器件重量是一个明显的优点,其推动薄膜广泛应用的工业级努力。第三,如果尺寸足够小,薄膜形式的器件会表现出机械韧性。另外,如果从可以重复利用的衬底去除器件层,可以进一步降低制造成本。(i)从块体材料(既,半导体)制造薄膜衬底并且(ii)通过从其上形成器件层的下面的体衬底去除器件层而形成薄膜器件层的努力正在继续。
技术实现思路
提供了一种从下层基础衬底去除半导体器件层的方法,其中在半导体器件层和基础衬底之间形成牺牲含磷化物层。在一些实施例中,可以在形成牺牲含磷化物层之前在基础衬底的上表面上形成半导体缓冲层。然后,利用非HF蚀刻剂蚀刻产生的结构以从基础衬底释放半导体器件层。在从基础衬底释放半导体器件层之后,基础衬底可以重复利用。本专利技术的ELO工艺伴随着更低的成本。另外并如上所述,在进行本专利技术的ELO工艺之后可以重复利用基础衬底。在一个实施例中,本专利技术的方法包括在基础衬底的上表面上形成含磷化物层。下一步,在牺牲含磷化物层的上表面上形成半导体器件层;然后用不含HF的蚀刻剂蚀刻从半导体器件层和基础衬底之间去除牺牲含磷化物层。在另一个实施例中,本 ...
【技术保护点】
一种从基础衬底(10)释放半导体器件层(16)的方法,所述方法包括:在基础衬底(10)的上表面上形成牺牲含磷化物层(14);在所述牺牲含磷化物层(14)的上表面上形成半导体器件层(16);从所述半导体器件层(16)和所述基础衬底(10)之间去除所述牺牲含磷化物层(14),其中所述去除包括用不含HF的蚀刻剂蚀刻。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.19 US 13/236,1191.一种从基础衬底(10)释放半导体器件层(16)的方法,所述方法
包括:
在基础衬底(10)的上表面上形成牺牲含磷化物层(14);
在所述牺牲含磷化物层(14)的上表面上形成半导体器件层(16);
从所述半导体器件层(16)和所述基础衬底(10)之间去除所述牺牲
含磷化物层(14),其中所述去除包括用不含HF的蚀刻剂蚀刻。
2.根据权利要求1的方法,其中所述基础衬底(10)是III-V化合物
半导体材料。
3.根据权利要求1或2的方法,其中所述基础衬底(10)是含Ge半导
体材料。
4.根据权利要求1-3中任一个的方法,还包括在所述含-Ge半导体衬底
(10)和所述牺牲含磷化物层(14)之间形成半导体缓冲层(12)。
5.根据权利要求4的方法,其中所述半导体缓冲层(12)是III-V化合
物半导体材料。
6.根据权利要求1-5中任一个的方法,其中所述非HF蚀刻剂是不含
HF的酸。
7.根据权利要求6的方法,其中所述不含HF的酸选自HCl、HBr、
HI及其混合物组成的组。
8.根据权利要求1-7中任一个的方法,其中在从室温高至但不超出所
述不含HF的蚀刻剂的沸点的温度下进行利用所述不含HF的蚀刻剂的所
述牺牲含磷化物层(14)的所述去除。
9.根据权利要求1-8中任一个的方法,其中在从所述基础衬底(10)
和所述半导体器件层(16)之间去除所述牺牲含磷化物层(14)之后,所
述基础衬底(10)具有的RMS表面粗糙度从0.1nm到0.5nm或者在初始
RMS粗糙度的±0.5nm内。
10.根据权利要求1-9中任一个的方法,其中所述牺牲含磷化物层(14)
\t由磷和至少一种比磷的电负性小的元素的化合物构成。
11.根据权利要求10的方法,其中所述牺牲含磷化物层(14)包括
InAlP、InGaP、InAsP、GaAsP、InGaAlP、InGaAsP、GaP、InP以及含
磷化物合金。
12.根据权利要求1-11中任一个的方法,其中所述牺牲含磷化物层(14)
是与所述基础衬底(10)和所述半导体器件层(16)不同的半导体材料。
13.根据权利要求1-12中任一个的方法,其中所述牺牲含磷化物层(14)
是与所述半导体器件层(16)相同的材料并且其中在所述半导体器件层(16)
和所述牺牲含磷化物层(14)之间形成第一保护层(20)并且其中在所述
半导体器件层(16’)的暴露表面上形成第二保护层(22)。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑政玮,徐崑庭,
申请(专利权)人:国际商业机器公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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