本发明专利技术的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明专利技术的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。，式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环。一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本专利技术的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。，式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环。一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。【专利说明】二芳基胺酚醛清漆树脂
本专利技术涉及苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂。进一步涉及使用苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂而在半导体基板加工时有效的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。另外，涉及使用了苯基萘基胺酚醛清漆树脂的可见区的透明性高折射率膜。
技术介绍
一直以来，在半导体装置的制造中，使用光致抗蚀剂组合物通过光刻进行微细加工。上述微细加工是下述加工法:通过在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，介由描绘了半导体器件图案的掩模向该光致抗蚀剂组合物的薄膜照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理。然而，近年来，半导体器件不断高集成化，所使用的活性光线也有从KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)短波长化的倾向。与此相伴，活性光线从基板的漫反射和/或驻波的影响是大问题。因此，广泛研究了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置防反射膜(底部抗反射涂层，bottom ant1-reflective coating)的方法。今后，如果抗蚀剂图案的微细化进行，则产生分辨率的问题和/或抗蚀剂图案在显影后倒塌的问题，希望抗蚀剂的薄膜化。因此，得到足以进行基板加工的充分的抗蚀剂图案膜厚变得困难，不仅抗蚀剂图案，而且在抗蚀剂和要加工的半导体基板之间制成的抗蚀剂下层膜也需要进行工序以具有作为基板加工时的掩模功能。作为这样的工艺用的抗蚀剂下层膜，与现有的高蚀刻速率性(蚀刻速率快)的抗蚀剂下层膜不同，要求具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜、具有比抗蚀剂小的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜、和/或具有比半导体基板小的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜。作为上述抗蚀 剂下层膜用的聚合物，可例示例如以下物质。例示了使用聚乙烯基咔唑的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献1、专利文献2、和专利文献3)。公开了使用芴苯酚酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照例如，专利文献4)。公开了使用芴萘酚酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照例如，专利文献5)。公开了包含以芴苯酚和芳基亚烷基为重复单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照例如，专利文献6、专利文献7)。公开了使用苯基萘基胺和乙醛的酚醛清漆树脂(参照专利文献8)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平2-293850号公报专利文献2:日本特开平1-154050号公报专利文献3:日本特开平2-22657号公报专利文献4:日本特开2005-128509号公报专利文献5:日本特开2007-199653号公报专利文献6:日本特开2007-178974号公报专利文献7:美国专利第7378217号说明书专利文献8:日本特开2007-297540号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂。进一步本专利技术提供使用了苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外本专利技术提供不发生与抗蚀剂层的混合、能得到优异的抗蚀剂图案、具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜、具有比抗蚀剂小的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜、和/或具有比半导体基板小的干蚀刻速率的选择比的光刻用抗蚀剂下层膜。另外本专利技术还可以在微细加工中使用248nm、193nm、157nm等波长的照射光时,赋予有效地吸收来自基板的反射光的性能。进而，本专利技术提供使用了 抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的形成法。而且，提供用于形成还兼具耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外，使用苯基萘基胺酚醛清漆树脂的特异性质，提供可见区的透明性高折射率膜和使用了该膜的电子器件。用于解决课题的方法本专利技术作为第I观点，是一种聚合物，包含下述式⑴所示的单元结构㈧，【权利要求】1.一种聚合物，包含下述式(I)所示的单元结构(A)， 2.根据权利要求1所述的聚合物，上述式(I)的R5是氢原子，R4是可以被取代的苯基、萘基、蒽基、或芘基。3.根据权利要求1或2所述的聚合物，上述式(I)的R3是氢原子或苯基。4.根据权利要求1~3的任一项所述的聚合物，包含在上述单元结构(A)中Ar1和Ar2的任一者是苯环、另一者是萘环的单元结构(al)。5.根据权利要求1~3的任一项所述的聚合物，包含在上述单元结构(A)中Ar1和Ar2均为苯环的单元结构(a2)。6.一种聚合物，是包含权利要求4所述的单元结构(al)和权利要求5所述的单元结构(a2)的共聚物。7.一种聚合物，是包含权利要求1所述的式(I)的单元结构(A)和下述式(2)的单元结构(B)的共聚物， 8.一种聚合物，是包含权利要求4所述的单元结构(al)和权利要求7所述的单元结构(B)的共聚物。9.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含权利要求1~8的任一项所述的聚合物。10.根据权利要求9所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含交联剂。11.根据权利要求9或10所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含酸和/或产酸剂。12.—种抗蚀剂下层膜，是通过将权利要求9~11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而得的。13.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序:由权利要求9~11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的该下层膜来加工半导体基板的工序。·14.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序:由权利要求9~11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案来蚀刻该硬掩模的工序；通过图案化了的该硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的该下层膜来加工半导体基板的工序。【文档编号】H01L21/027GK103827159SQ201280047123 【公开日】2014年5月28日 申请日期:2012年9月25日 优先权日:2011年9月29日【专利技术者】坂本力丸, 染本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)，式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环，R1和R2分别是这些环上的氢原子的取代基，表示选自卤素基、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合中的有机基团，并且该烷基、该烯基和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R3表示选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合中的有机基团，并且该烷基、该烯基和芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R4表示选自碳原子数6～40的芳基、和杂环基中的有机基团，并且该芳基和该杂环基可以被卤素基、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～40的芳基、甲酰基、羧基、或羟基取代，R5表示选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基中的有机基团，并且该烷基、该芳基和该杂环基可以被卤素基、硝基、氨基、或羟基取代，而且，R4与R5可以与它们所结合的碳原子一起形成环，n1和n2分别为0～3的整数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本力丸，染谷安信，桥本圭祐，西卷裕和，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：
国别省市：
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