发光二极管制造方法技术

一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层完全覆盖或者不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。在上述方法中，通过蚀刻将位于凸出部顶部区域的未掺杂GaN层。此时，由于缺陷集中的部分被去除，所生长的发光二极管晶体缺陷将减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的制造方法，尤其涉及一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。在LED的磊晶生长过程中，如何降低LED晶粒的晶体缺陷是人们需要考虑的问题。一种制备低缺陷的LED晶粒的方法是采用图案化的蓝宝石基板。即，在蓝宝石基板上形成多个凸出部，所述多个凸出部可使到后续磊晶过程中半导体层形成侧向生长，从而降低LED晶粒的晶体缺陷。然而，在上述过程中，缺陷容易集中在凸出部顶部的磊晶层中，从而对后续的磊晶层的成长造成影响。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管的制造方法。一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层不完全覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：
提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；
在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；
蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；
在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述蚀刻未掺杂GaN层的过程以干蚀刻或者湿蚀刻的方法进行。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面为半圆形状、三角形形状，梯形形状或其他多边形形状。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层之前，先在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层继续生长未掺杂GaN层直至所述未掺杂GaN层覆盖凸出部...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱镜学，林雅雯，凃博闵，黄世晟，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：