【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微合金工艺，属于光电子领域。
技术介绍
微合金技术是LED生产过程中必不可少的工艺步骤，微合金工艺的优劣直接决定了LED芯片电极的可靠性及牢固性，而目前由于微合金工艺存在的一些缺陷，导致微合金后批量出现掉电极等现象，造成生产成本的浪费。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的不足，提供一种微合金工艺。 本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：（1） 打开合金炉，将合金炉的气压调整到45-55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；（2） 将芯片放至载片台上，将载片台载入合金炉内；（3） 微合金过程如下：预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min；（4）合金完后，退出合金炉，将芯片取出。本专利技术的有益效果是：本工艺通过对微合金的工艺进行改进，增加了微合金的稳定性，减少掉电极的现象，从而提高了产品的良率。具体实施方式以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：（1） 打开合金炉，将合金炉的气压调整到45-55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；（2） 将芯片放至载片台上，将载片台载入合...
【技术保护点】
一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：打开合金炉，将合金炉的气压调整到45‑55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；将芯片放至载片台上，将载片台载入合金炉内；微合金过程如下：预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min；合金完后，退出合金炉，将芯片取出。
【技术特征摘要】
1.一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：
打开合金炉，将合金炉的气压调整到45-55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；
将芯片放至载片...
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