连续式纳米图案装置及利用其制造的防反射基板制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及纳米图案涂覆技术领域，具体公开了一种连续式纳米图案装置包括：加载锁舱室（10），其将作为非加工物的基板投入到工艺中；溅射舱室（20），从上述加载锁舱室（10）排出的基板投入其中，并且在上述基板表面通过溅射方式形成纳米掩膜；蚀刻舱室（30），在表面形成有纳米掩膜的基板投入其中，并且蚀刻上述基板的表面后，形成纳米掩膜；以及卸载锁舱室（40），其将形成有纳米图案的基板排出至装置外部，并且，上述舱室通过一个连续式设备进行连接，从而投入至上述加载锁舱室（10）的基板连续经过上述溅射舱室（20）及蚀刻舱室（30）后，从上述蚀刻舱室（40）排出。本实用新型专利技术还提供了一种防反射基板。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种连续式纳米图案装置，用于将纳米图案形成于基板的表面，其特征在于，包括：?加载锁舱室（10），其将作为非加工物的基板投入到工艺中；?溅射舱室（20），从上述加载锁舱室（10）排出的基板投入其中，并且在上述基板表面通过溅射方式形成纳米掩膜；?蚀刻舱室（30），在表面形成有纳米掩膜的基板投入其中，并且蚀刻上述基板的表面后，形成纳米掩膜；以及?卸载锁舱室（40），其将形成有纳米图案的基板排出至装置外部，?并且，上述舱室通过一个连续式设备进行连接，从而投入至上述加载锁舱室（10）的基板连续经过上述溅射舱室（20）及蚀刻舱室（30）后，从上述蚀刻舱室（40）排出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李相老，罗钟周，朴明渐，金明根，金允焕，徐在亨，岳昕，李智英，
申请(专利权)人：株SEP，
类型：实用新型
国别省市：