发光器件和发光器件阵列制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及一种发光器件以及包括该发光器件的发光器件阵列。
技术介绍
基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积和分子束外延的生长，研制了显示出高亮度并且能够表现白光的红色、绿色和蓝色发光二极管（LED）。这样的发光二极管（LED）具有优异的生态友好性，这是因为其不含环境有害物质（例如在如白炽灯或荧光灯的常规照明装置中使用的汞（Hg））并且由于长寿命和低功耗的优点，所以使用这样的发光二极管作为常规光源的替代者。这种LED竞争力的关键因素是基于高效率高电力芯片和封装技术实现高亮度。为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。正在研究使用倒装芯片结构、表面结构化、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术和抗反射层结构等各种方法来提高光提取效率。一般而言，发光器件可包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层、布置在衬底上的用来向第一导电型半导体层提供第一电力的第一电极和用来向第二导电型半导体层提供第二电力的第二电极。
技术实现思路
实施方案提供了一种用来提高产率并且提供增强的光视效能的发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。在一个实施方案中，发光器件包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层，发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层（adhesivelayer）和第一接合层（bondinglayer），其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置有反射层。第一电极层还可包括布置在第一粘附层上的第一阻挡层，使得第一阻挡层接触第一粘附层。发光器件还可以包括布置在下半导体层上的第二电极层，其中第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，其中在第二粘附层与第二接合层之间未布置有反射层。第二电极层还可以包括布置在第二粘附层上的第二阻挡层，使得第二阻挡层接触第二粘附层。第一粘附层或第二粘附层可包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。第一阻挡层可包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。第一粘附层的厚度至少可为2nm至15nm。下半导体层的侧表面是倾斜的。发光器件还可包括布置在上半导体层与第一电极层之间的导电层，并且还可以包括布置在导电层与上半导体层之间的电流阻挡层。导电层可以布置为包围电流阻挡层的上部和侧部。电流阻挡层可以为分布式布拉格反射体。分布式布拉格反射体可包括绝缘材料，该绝缘材料包括交替层叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。第一电极层的宽度可为5μm至100μm。第一接合层的厚度可以为100nm至2000nm。在另一实施方案中，发光器件阵列包括：衬底、在衬底上沿着水平方向彼此间隔开的多个发光器件、用来连接多个发光器件中的两个发光器件的导电互连层、以及布置在发光器件与导电互连层之间的第一绝缘层。其中单独的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层；布置在上半导体层上的第一电极层；以及布置在下半导体层上的第二电极层；其中导电互连层将两个发光器件中一个的第一电极层与两个发光器件中另一个的第二电极层连接，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，其中在第二粘附层与第二接合层之间未布置反射层。第二电极层还可包括布置在第二粘附层上的第二阻挡层，使得第二阻挡层接触第二粘附层。导电接合层可包括彼此重叠的第三粘附层和第三接合层，其中在第三粘附层与第三接合层之间未布置有反射层。导电互连层还可包括在第三粘附层上的第三阻挡层，使得第三阻挡层接触第三粘附层。第一粘附层、第二粘附层或第三粘附层可包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。第一阻挡层、第二阻挡层或第三阻挡层可包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。第一粘附层、第二粘附层或第三粘附层的厚度可为至少5nm至15nm。发光器件阵列还可包括布置在第一绝缘层与发光器件之间的第二绝缘层。第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个可以为分布式布拉格反射体。通过导电互连层连接的两个发光器件的第一电极层和第二电极层以及导电互连层可彼此结合为一体。导电互连层的厚度可大于第一电极层的厚度。每个发光器件还可包括布置在上半导体层与第一电极层之间的导电层。每个发光器件还可包括在发光结构与第一电极层之间的与第一绝缘层间隔开的电流阻挡层。第一导电层可以布置为包围电流阻挡层的上部和侧部，并且电流阻挡层可以为分布式布拉格反射体。第一电极层的宽度可以为5μm至100μm。发光器件可以通过导电互连层串联连接。附图说明参照下列附图详细描述布置和实施方式，在附图中，相同的附图标记指代相同的元件，其中：图1是示出了根据一个实施方案的发光器件的截面图；图2A至图2F是示出了图1中部分“A”的实施方案的视图；图3是示出了使用根据该实施方案的发光器件的发光器件阵列的截面图；图4是示出了根据另一实施方案的发光器件阵列的截面图；图5是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的截面图；图6是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的截面图；图7是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的俯视图；图8是沿着图7中示出的发光器件阵列的线8-8’取的截面图；图9是沿着图7中示出的发光器件阵列的线9-9’取的截面图；图10是沿着图7中示出的发光器件阵列的线10-10’取的截面图；图11是沿着图7中示出的发光器件阵列的线11-11’取的截面图；图12是示出了图7中示出的发光器件阵列的电路图；图13是示出了根据又一实施方案的包括发光器件的发光器件阵列的截面图；图14是示出了包括根据一个实施方案的发光器件封装件的照明装置的分解立体图；以及图15是示出了包括根据一个实施方案的发光器件封装件的显示装置的视图。具体实施方式下文中，为了更好理解，将参照附图对实施方案进行描述。然而，实施方案可以以许多不同形式实施，并且实施方案不应该解释为限于本文所提出的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容是彻底且完整的，并且向本领域技术人员充分表达本公开内容的范围。在描述实施方案之前，关于优选实施方案的描述，应理解当一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所述发光结构布置在所述衬底上；和布置在所述上半导体层上的第一电极层，其中所述第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，以及其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层。

【技术特征摘要】
2012.11.05 KR 10-2012-01243811.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半
导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所
述发光结构布置在所述衬底上；和
布置在所述上半导体层上的第一电极层，
其中所述第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，以及
其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层还包括布
置在所述第一粘附层上的第一阻挡层，使得所述第一阻挡层接触所述第一
粘附层。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，还包括布置在所
述下半导体层上的第二电极层，
其中所述第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，以及
其中在所述第二粘附层与所述第二接合层之间未布置有反射层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极层还包括布
置在所述第二粘附层上的第二阻挡层，使得所述第二阻挡层接触所述第二
粘附层。
5.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，其中所述第一粘
附层包括Cr、Rd或Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炳然，范熙荣，李容京，李知桓，朱炫承，洪奇锡，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR