发光器件和发光器件阵列制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及一种发光器件以及包括该发光器件的发光器件阵列。
技术介绍
基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积和分子束外延的生长，研制了显示出高亮度并且能够表现白光的红色、绿色和蓝色发光二极管（LED）。这样的发光二极管（LED）具有优异的生态友好性，这是因为其不含环境有害物质（例如在如白炽灯或荧光灯的常规照明装置中使用的汞（Hg））并且由于长寿命和低功耗的优点，所以使用这样的发光二极管作为常规光源的替代者。这种LED竞争力的关键因素是基于高效率高电力芯片和封装技术实现高亮度。为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。正在研究使用倒装芯片结构、表面结构化、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术和抗反射层结构等各种方法来提高光提取效率。一般而言，发光器件可包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层、布置在衬底上的用来向第一导电型半导体层提供第一电力的第一电极和用来向第二导电型半导体层提供第二电力的第二电极。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所述发光结构布置在所述衬底上；和布置在所述上半导体层上的第一电极层，其中所述第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，以及其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层。

【技术特征摘要】
2012.11.05 KR 10-2012-01243811.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半
导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所
述发光结构布置在所述衬底上；和
布置在所述上半导体层上的第一电极层，
其中所述第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，以及
其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层还包括布
置在所述第一粘附层上的第一阻挡层，使得所述第一阻挡层接触所述第一
粘附层。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，还包括布置在所
述下半导体层上的第二电极层，
其中所述第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，以及
其中在所述第二粘附层与所述第二接合层之间未布置有反射层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极层还包括布
置在所述第二粘附层上的第二阻挡层，使得所述第二阻挡层接触所述第二
粘附层。
5.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，其中所述第一粘
附层包括Cr、Rd或Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炳然，范熙荣，李容京，李知桓，朱炫承，洪奇锡，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR