半导体单元制造技术

提供一种半导体单元，其包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层；以及半导体器件，该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。绝缘基片具有低刚性部分，该低刚性部分设置在第一和第二传导层之间并且具有比绝缘基片的其余部分低的刚性，并且至少低刚性部分通过模具树脂密封和覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体单元。
技术介绍
日本未审查专利申请公告No.2001-118987公开一种半导体单元或功率半导体模块，其具有安装至单个绝缘基片的多个功率半导体器件，其中绝缘基片层压至基板。在绝缘基片中形成有沟槽以将绝缘基片分隔成多个区域，每个区域具有至少一个功率半导体器件。然而，在这种构造中，如果由于热变形而作用于绝缘基片上的应力导致绝缘基片断裂，那么断裂产生的碎片可能会四散。本专利技术旨在提供一种半导体单元，其结构减小导致绝缘基片断裂的应力并且还防止由绝缘基片的断裂产生的任何碎片分散。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，半导体单元包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体单元，包括：绝缘基片，所述绝缘基片具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；第一传导层，所述第一传导层结合至所述绝缘基片的所述第一表面；第二传导层，所述第二传导层在与所述第一传导层的位置不同的位置处结合至所述绝缘基片的所述第一表面；应力消除层，所述应力消除层结合至所述绝缘基片的所述第二表面；散热装置，所述散热装置在所述应力消除层的与所述绝缘基片相反的一侧上结合至所述应力消除层；以及半导体器件，所述半导体器件电结合至相应的所述第一传导层和所述第二传导层，其特征在于，所述绝缘基片具有低刚性部分，所述低刚性部分设置在所述第一传导层和所述第二传导层之间且具有比所述绝缘基片的其余部分低的刚性...

【技术特征摘要】
2012.11.01 JP 2012-2419631.一种半导体单元，包括：
绝缘基片，所述绝缘基片具有第一表面和与所述第一表面相反的第二
表面；
第一传导层，所述第一传导层结合至所述绝缘基片的所述第一表面；
第二传导层，所述第二传导层在与所述第一传导层的位置不同的位置
处结合至所述绝缘基片的所述第一表面；
应力消除层，所述应力消除层结合至所述绝缘基片的所述第二表面；
散热装置，所述散热装置在所述应力消除层的与所述绝缘基片相反的
一侧上结合至所述应力消除层；以及
半导体器件，所述半导体器件电结合至相应的所述第一传导层和所述
第二传导层，
其特征在于，所述绝缘基片具有低刚性部分，所述低刚性部分设置在
所述第一传导层和所述第二传导层之间且具有比所述绝缘基片的其余部
分低的刚性，并且至少所述低刚性部分通过模具树脂进行密封和覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，通过至少在所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：西槙介，森昌吾，音部优里，加藤直毅，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，
类型：发明
国别省市：