【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种功率半导体模块，它至少包含两块连接在散热基板上面的绝缘基板，每个绝缘基板上分别连接有功率端子和信号端子，每三个功率端子组成一个平行的半桥模块，使得电流在每个绝缘基板上的动态分配比较对称；其中一个功率端子连接外部一个母线；另两个分别为一个低电位和一个高电位的功率端子连接另外一个母线；在所述绝缘基板上分别粘结有功率芯片和二极管芯片，功率芯片和二极管芯片的表面和绝缘基板之间用键合铝线电气连接起来；它具有高功率、高效率、低成本、高可靠性等特点。【专利说明】功率半导体模块
本专利技术涉及一种功率半导体模块，尤其是一种大功率半桥模块，属于电子器件的模块封装
。
技术介绍
功率模块IGBT (绝缘栅极双极晶体管)模块广泛用于变频器、焊机、UPS、太阳能和风能等领域，在传统的大功率模块封装，模块为了达到高可靠性，需要回流焊接功率端子，信号走线需要绕线，需要灌环氧树脂，因此存在工艺比较复杂，生产成本比较高等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种高功率、高效率、低成本、高可靠性的功率半导体模块。本专利技术的目的是...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金晓行，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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