一种氮化物半导体衬底，其特征在于：直径为４５ｍｍ以上，形成有具有一个极大点或极小点的均匀翘曲，中央部的高度Ｈ为１２μｍ以下或翘曲的曲率半径Ｒ为２１ｍ以上，表面粗糙度为０．１ｎｍ≤ＲＭＳ≤５ｎｍ，背面粗糙度为０．１ｎｍ≤ＲＭＳ≤５０００ｎｍ。

一种从输出表面发光的ＺｎＳｅ发光设备，其具有包括自激活发光中心（ＳＡ）的ｎ型ＺｎＳｅ基板、形成在ｎ型ＺｎＳｅ基板上的激活层、和设置在输出表面相对面上并用于向输出表面反射光的Ａｌ层。发射的光可以有效利用，亮度高，并且易于调节白光发射设备的...

能够进一步减小导电薄膜或者类似物电阻的导电胶、具有各向异性的电导率的导电薄膜、用于形成具有均匀晶体结构的电镀涂层的电镀方法以及制造具有好的性质的精细金属元件的方法。混合具有许多精细金属颗粒连接成链状的形式的金属粉末而形成导电胶。具有亚顺...

提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法，以便使汞Ｃ－Ｖ方法可行，汞Ｃ－Ｖ方法允许高精度地测量含铟晶片的特性，且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层，其目的在于去除晶片表面...

一种ＳｉＣ制的横向ＪＦＥＴ，它使用ｎ型ＳｉＣ衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向ＪＦＥＴ包括：ｎ型ＳｉＣ衬底（１ｎ）；ｐ型ＳｉＣ膜（２），被形成在ｎ型ＳｉＣ衬底的正面上；ｎ型ＳｉＣ膜（３），被形成在ｐ型ＳｉＣ膜上，包...

在一种半导体发光器件的制造方法中，在ＧａＮ或ＡｌＧａＮ衬底上形成基于ＧａＮ的半导体部。基于ＧａＮ的半导体部包括发光膜。在基于ＧａＮ的半导体部上形成电极膜。使用导电粘合剂将导电衬底与电极膜的表面相粘接。在粘接导电衬底后，将ＧａＮ或ＡｌＧａ...

本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备ＧａＮ基板（１），以及在该ＧａＮ基板（１）的第一主表面侧含有ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶的发光层。

一种发射效率和温度稳定性优良并能产生特别色温的白光的白光发射装置利用具有优良温度特性和较高光发射效率的磷光体实现；磷光体和制造磷光体的方法也可以获得。ＬＥＤ（１）以及包含至少Ｃｕ、Ａｇ和Ａｕ中一个的激活剂（活化剂）的磷光体（３）ＺｎＳｘ...

一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有Ｃ面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Ｒｍｓ５ｎｍ～２００ｎｍ。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错...

提供了半导体制造设备用的陶瓷基座，其中通过提高基座晶片载面在其高温区域的平面度，提高了加热操作过程中晶片表面的等温质量，在半导体制造过程中是在晶片载面的高温区域处理晶片的。用于半导体制造设备的陶瓷基座１在其陶瓷基片２ａ和２ｂ的表面或内部...

本发明提供一种半导体发光元件，具备由氮化物半导体形成的第１导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第１导电型半导体层上的第２导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第１导电型半导体层和第２导电型半导体层之间的活性层；与第１导电型半导...

一种发光二极管（１）具有半导体叠片（６）、光学反射层（１７）和（１９）、光学反射薄膜（２５）以及磷光片（２７）。叠片（６）由按顺序层叠在衬底（７）上的ｎ型包层（９）、有源层（１１）、ｐ型包层（１３）以及ｐ型接触层（１５）形成。光学反射层...

本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第３半导体层（１３）中的源／漏区层（６、８）之间，跨越第２半导体层（１２）及第３半导体层（１３），设置下面延伸到第２半导体层（１２）、包含ｐ型杂质的浓度高于...

一种发光装置（３０），它具备电阻率０．５Ω.ｃｍ或其以下的氮化物半导体基板（１）、位于氮化物半导体基板的第１主表面侧的ｎ型氮化物半导体层（３）、从氮化物半导体基板看位于比ｎ型氮化物半导体层（３）更远的位置上的ｐ型氮化物半导体层（５）和位...

一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为９５％时的钨多孔体的孔径是０．３μｍ或更大，比表面积为５％时的钨多孔体的孔径是３０μｍ或更小，通过将铁族金属含量降至低于０．０２ｗｔ％可使其导热系...

本发明提供了过滤器，所述过滤器能够截留有机物、细菌、病毒和其它有害物质，并且截留的物质能够低费用且非常高效率地杀灭和分解。还提供了制造该过滤器的方法。特别是，由具有发光作用的半导体材料组成的多孔半导体形成在多孔陶瓷或金属基材的内部或表面...

一种次载具，能以高结合强度将半导体发光器装在它上面；一种半导体组件与所述次载具相结合。所述次载具包括：（ａ）次载具衬底；（ｂ）形成于次载具衬底的上表面的焊料层；以及（ｃ）焊料紧密接触层，它形成于次载具衬底与焊料层之间，并且它的结构是使主...

本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照靶，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超...

一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面｛１００｝...

加工金刚石｛１００｝单晶基板（１０），形成金刚石｛１１１｝面后，一边在金刚石｛１１１｝面上掺杂ｎ型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成ｎ型金刚石外延层（２０）。而且通过将上述方式得到的ｎ型半导体金刚石和ｐ型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组...