一种半导体器件所用部件，具有含有Ｃｕ、Ｗ和／或Ｍｏ为主要成分的合金或复合物材料、Ａｌ－ＳｉＣ为主要成分的合金或复合物材料，以及Ｓｉ－ＳｉＣ为主要成分的合金或复合物作为基本部件（１），还具有形成于基本部件（１）表面上的包含固体碳粒薄膜（２...

本发明的纵向ＪＦＥＴ１ａ配备ｎ↑［＋］型漏极半导体部（２）、ｎ型漂移半导体部（３）、ｐ↑［＋］型栅极半导体部（４）、ｎ型沟道半导体部（５）、ｎ↑［＋］型源极半导体部（７）、和ｐ↑［＋］型栅极半导体部（８）。ｎ型漂移半导体部（３）设置在ｎ...

更低成本地制备具有晶体取向的偏轴ＧａＮ单晶独立式衬底，所述的晶体取向是从（０００１）偏移的，而不正好是（０００１）。由偏轴（１１１）ＧａＡｓ晶片作为起始衬底，在起始衬底上气相沉积ＧａＮ，其生长倾斜相同偏轴角且与起始衬底相同方向的ＧａＮ晶...

提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第Ⅲ族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第Ⅲ族氮化物晶体衬底的第Ⅲ族氮化物半导体器件。所述第Ⅲ族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第Ⅲ族氮化物晶体（２）通过液相取向附生生长到基础衬底...

一种低电阻率ｎ－型半导体金刚石，其特征在于，一共包含１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］或者更多的锂原子和氮原子。

一种接触探针的制造方法。其包括：电铸工序，其使用在衬底（５２１）上配置的、具有和接触探针对应形状的图形框的抗蚀层（５２２），进行电铸而填平抗蚀层（５２２）的间隙而形成金属层（５２６）；尖端加工工序，其将上述金属层（５２６）中成为接触探针...

本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置（１）装备有ｎ－类型包层（３）；安置在ｎ－类型包层（３）上的ｐ－类型包层（７）；以及由氮化物构成并安置在ｎ－类型包层（３）与ｐ－类型包层（７）之...

本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物－基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物－基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第３Ｂ族元素及氮的化合物，此第...

公开了一种具有低位错密度的高质量第Ⅲ族氮化物晶体及制备这种第Ⅲ族氮化物晶体的制备方法。将第Ⅲ族氮化物晶体薄膜（２）生长到衬底（１）上，且将金属薄膜（３）沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜（３）改变为金属氮化物薄膜（４），并且在其中产生...

本发明提供一种具有增加的发光量而没有改变其尺寸的发光装置。发光装置的特征在于在凸凹衬底１的凸凹表面１ａ上形成半导体层３０。可以这样构造本发明的发光装置，以便凸凹衬底和半导体层都是由Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ（０≤ｘ，...

本发明的目的在于，提供一种使以高能量加速离子而进行的离子注入成为可能的、且能够向半导体基板（１、１０１）特别是ＳｉＣ半导体基板以选择区域的方式简便地进行足够深度的杂质注入的半导体装置的制造方法。为此，本发明的半导体装置的制造方法，包括：...

一种制备ｎ－型半导体金刚石的方法，其特征在于，具有以下步骤：向结合有１０ｐｐｍ或以上Ｎ的单晶金刚石中注入Ｌｉ离子、使得其中含有１０ｐｐｍ的Ｌｉ离子，来制备结合有Ｌｉ和Ｎ的金刚石的步骤，和在８００℃至低于１８００℃范围内的温度退火所述结合...

一种单晶性薄膜，该薄膜是在基底层上形成的薄膜，其特征在于，上述薄膜包含与上述基底层不同的物质，　　　　在上述基底层和上述薄膜中共同包含的特定的原子层在上述基底层与上述薄膜的界面中被共有，　　　　在从上述界面起到上述薄膜的单位晶格１００个...

一种薄膜形成方法，该方法是在基体材料上经中间层形成薄膜的方法，其特征在于：　　　　计算出上述基体材料与上述中间层间的界面Ａ的界面能量Ｅａ和上述中间层与上述薄膜间的界面Ｂ的界面能量Ｅｂ，　　　　计算出在上述中间层不存在的状态下的上述基体材...

破裂被减轻以及利用率和成本效率得到改善的ＡｌＧａＩｎＮ单晶晶片。一种六方晶的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－（ｘ＋ｙ）］Ｎ（０＜ｘ≤１，０≤ｙ＜１，ｘ＋ｙ≤１）单晶晶片，其特征在于，该晶片具有厚度Ｔ（ｃｍ）和具有表面积为Ｓ（ｃｍ↑［...

提供了一种Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底，其中当Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底的直径为２英寸时，Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底一个表面上晶粒大小至少为０．２μｍ的粒子数至多为２...

一种制造单晶半导体晶片的方法，其特征在于，具有预期消费者所需要的较小直径的多个单晶半导体晶片（２ａ－２ｄ）由具有较大直径的单晶半导体晶片（１ａ－１ｄ）切割而成。该方法具有两个优点：即使直径大的单晶半导体晶片局部具有缺陷，也可以由除具有缺...

一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Ｎａ、Ｌｉ或Ｃａ的加工溶液（１５）与氮化物半导体晶体（１１）的表面接触。加工溶液（１５）可以是至少包含Ｎａ的液体，其Ｎａ含量为５－９５摩尔％。加工溶液（１５）可以是至少包含Ｌｉ的液...

本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第１导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第２导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第１导电型氮化物半导体层和第２导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有Ｉｎ↓［Ｘ１］Ａｌ↓［Ｙ１］...

一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室１内加给反应气体，陶瓷托架２具有嵌入其中的电阻加热元件７。陶瓷圆柱形支承部件３的一端支承陶瓷托架２，另一端被固定在反应室１的一部分上。惰性气体供送管４和惰性气体排气管５每一个都在圆柱形支承部件３内有...