一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室１内加给反应气体，陶瓷托架２具有嵌入其中的电阻加热元件７。陶瓷圆柱形支承部件３的一端支承陶瓷托架２，另一端被固定在反应室１的一部分上。惰性气体供送管４和惰性气体排气管５每一个都在圆柱形支承部件３内有...

在肖特基二极管１１中，氮化镓支撑底板１３包括第一表面１３ａ和与第一表面相反的第二表面１３ｂ，其载流子浓度大于１×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］。氮化镓外延层１５放置在第一表面１３ａ上。欧姆电极１７放置在第二表面１３ｂ上。肖特基电极１９放置...

一种半导体器件，由半导体元件产生的热能够被充分去除。半导体器件（１００）包括具有底表面（２ｂ）和与底表面（２ｂ）相对的元件安装表面（２ａ）的基板（２），及具有安装到元件安装表面（２ａ）上的主表面（１ａ）的半导体元件（１）。主表面（１ａ）...

一种外延晶片，具备基板（３）、缓冲层（９）、受光层（１１）、窗层（１３）。缓冲层（９）形成于基板（３）上。受光层（１１）形成于缓冲层（９）上。受光层（１１）由具有比构成基板（３）的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜构成。窗层（１３）形...

公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底（１）第一主表面侧包含：ｎ－型氮化物半导体层（２），安置在离氮化物半导体衬底（１）比ｎ－型氮化物半导体层（２）更远处...

一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件（ＬＥＤ）的光源，以及基体部件（底座和后盖），用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括：ＧａＮ衬底１；在所述ＧａＮ衬底１的第一主表面一侧上的ｎ－型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层３；位于比所述ｎ...

本发明的制造单晶半导体块方法的特征在于，从较大直径的单晶半导体块（１ａ）中切割出用户所需的多个较小直径的单晶半导体块（２ａ）。这种方法的第二个优点在于，即使大直径单晶半导体块包含缺陷部分时，仍能够从缺陷区域之外的其它部分切割出一些小直径...

发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的ＧａＮ基板（１）；在氮化物半导体基板的第（１）主表面一侧的ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）；从氮化物半导体基板看，远离ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）的Ｐ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１...

已有的ＧａＮ晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。这不是容易看清楚的不同，当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝.发生破裂等。我们希望不用粗糙度的不同也能够区别氮化物...

本发明涉及一种发光装置，包括：ＧａＮ衬底１；布置在ＧａＮ衬底１的第一主表面侧面上的ｎ－型氮化物半导体衬底层（ｎ－型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层３）；与ｎ－型氮化物半导体衬底层相比更远离ＧａＮ衬底１布置的ｐ－型氮化物衬底层（ｐ－型Ａｌ...

根据本发明的发光器件，包括：ＧａＮ衬底（１）；ＧａＮ衬底（１）的第一主表面侧上的ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）；与ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）相比更远离ＧａＮ衬底（１）设置的ｐ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层...

一种具有芯材料和形成在芯材料上的涂覆层的邦定引线，所述涂覆层包括熔点高于芯材料熔点的金属并且具有至少一项以下特征：１．熔化的芯材料与涂覆材料的湿接触角为２０度或更多，２．在邦定引线垂下使其末梢接触水平面并且在该末梢之上１５厘米的点处切断...

提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序（基板准备工序（Ｓ１０））、和清洗工序（Ｓ２０）。在清洗工序（Ｓ２０）中，基于ｐＨ值为７...

Ⅲ族氮化物晶体膜的表面处理方法，Ⅲ族氮化物晶体基材，具有外延层的Ⅲ族氮化物晶体基材，和半导体设备。Ⅲ族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将Ⅲ族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的ｐＨ值ｘ和氧化－还原电位值ｙ（ｍＶ）同时满足ｙ≥...

当氢化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工－变换层。为了除去加工－变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为ＧａＮ刻蚀剂，但是它们从Ｇａ表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去...

本发明涉及化合物半导体衬底，其包括由ｐ型化合物半导体构成的衬底；和包含ｐ型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。

本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板（１０）的表面（１０ａ）的光致发光测定，然后，在利...

根据本发明的发光器件具有：ＧａＮ衬底（１）；ＧａＮ衬底（１）的第一主表面侧上的ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）；比ｎ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（３）更远离ＧａＮ衬底（１）设置的ｐ型Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层（５）...

本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石ｎ型半导体等。该金刚石ｎ型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为ｎ型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为ｎ型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度（电子浓度）...

在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体（１）时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体（１）和工具电极（３）之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。