本发明提供衬底的表面处理方法和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的制造方法，其中由Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物制成的衬底是化学计量的，并减小了外延生长后表面的微观粗糙度。该方法包括制备由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体制成的衬底的步骤（Ｓ１０），及以ｐＨ调至２～６．３（...

一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体（１）的任意特定平行晶格平面（１ｄ）的平面间距，由｜ｄ↓［１］－ｄ↓［２］｜／ｄ↓［２］的值表示的所述晶体的表面层（１ａ）上的均匀畸变等于或低于２．１×１０↑［－３］，其中在满足所述特定平行晶格平...

本发明提供一种可以收取氧作为ｎ型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面（上面）具有Ｃ面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持Ｃ面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺...

本发明提供能够高精度地评价表面的损伤的程度的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法以及损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。进行化合物半导体基板（１０）的表面（１０ａ）的分光偏振光分析测定。...

在本发明的ＧａＮ基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材（２３）与润滑剂（２５）的研磨液（２７）供应至平台（１０１），一边利用平台（１０１）与研磨液（２７）研磨ＧａＮ基板（第１研磨工序）。其次，一边将润滑剂（３１）供应至埋入研磨材（２９）...

本发明的目的在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线（２２）而构成的金属线列（２１）切断结晶块（３），该结晶块（３）包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块（３）及金属线（２２）中至少一方在与金属线（２２）延长方向Ｂ直...

本发明提供洗涤后析出异物数量少的ＧａＡｓ基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序（Ｓ１１）、纯水洗净工序（Ｓ１２）和旋转干燥工序（Ｓ１３）构成。首先，通过将表面被镜面研磨的ＧａＡｓ基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序（Ｓ１１）。在酸洗涤...

获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件（１０）包括，ＧａＰ衬底（１），位于所述ＧａＰ衬底（１）上并包括ｎ－型ＡｌＩｎＧａＰ层和ｐ－型ＡｌＩｎＧａＰ层的...

本抛光浆是用于化学地机械地抛光Ｇａ↓［ｘ］Ｉｎ↓［１－ｘ］Ａｓ↓［ｙ］Ｐ↓［１－ｙ］晶体（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）表面的抛光浆，其特征在于本抛光浆含有由ＳｉＯ↓［２］形成的磨料粒，本磨料粒是初级粒子在其中缔合的二级粒子，并且二级粒子平均...

本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和／或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装...

本发明提供制造Ⅲ族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质（１）、含Ⅲ族元素物质（２）和含氮元素物质（３）导入反应器（５１）中；在所述反应器（５１）中，形成至少含有所述碱金属元素、所述Ⅲ族元素和所述氮元素的熔融液（５）；并从所述...

本发明提供其尺寸适于半导体器件的Ⅲ族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个Ⅲ族氮化物半导体晶体的步骤、在Ⅲ族氮化物半导体晶体衬...

一种制造Ⅲ族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体（１０），通过液相方法在该籽晶晶体（１０）上生长第一Ⅲ族氮化物晶体（２１）；其中在籽晶晶体（１０）上生长第一Ⅲ族氮化物晶体（２１）的步骤中，平行于籽晶晶体（１０）的主表面（１０ｈ）的...

提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管１１中，支撑衬底１３由ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ或ＧａＮ构成，具体地。Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ外延层１５具有用于１５０秒或以下的（０００２）面ＸＲＤ的半...

提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在ｎ－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的ｎ－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底（６３）上设置氮化镓外延膜（６５）。在氮化镓衬底（６３）和氮化镓外延膜６５中设置层区（６７）。氮化镓...

本发明涉及一种氮化镓晶圆１１，其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆１１包含：多个条纹区域１３、多个单晶区域１５和可目视确认的标记１７。各条纹区域１３，表示〈１１－２０〉轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域１３夹在单晶区域１５之间。标记１７...

一种高电子迁移率晶体管，其特征在于布置有：　　　　由氮化镓构成的支撑衬底；　　　　缓冲层，由第一氮化镓半导体构成，设置在所述支撑衬底上；　　　　沟道层，由第二氮化镓半导体构成，设置在所述缓冲层上；　　　　半导体层，由第三氮化镓半导体构成...

提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管１中，支撑衬底３由ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ或ＧａＮ构成。Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ外延层５具有０．２５ｍｍ或以下的表面粗糙度（ＲＭＳ），其中表面粗糙度由...

本发明提供一种ｐ型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置１０１等成膜装置内配置基板１０３，在基板１０３上依次成长ＧａＮ缓冲膜１０５、无掺杂ＧａＮ膜１０７、以及包含ｐ型掺杂物的ＧａＮ膜１０９，形成外延基板Ｅ１。半导体膜１０９中，除...

提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管（１１）由Ⅲ族氮化物支撑衬底（１３）、氮化镓区（１５）以及肖特基电极（１７）构成。Ⅲ族氮化物支撑衬底（１３）具有导电性。肖特基电极（１７）在氮化镓区（１５...