本发明公开一种可获得平坦度优良的Ⅲ族氮化物衬底的Ⅲ族氮化物衬底制造方法，其包括步骤：将多个条纹型Ⅲ族氮化物衬底粘附到研磨支撑台上，以使得条纹结构方向垂直于研磨支撑台的旋转方向；和粗磨、精磨和／或抛光该衬底。

根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板（Ｕ）上部分地形成掩膜（Ｍ），其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜（Ｍ）的基底基板（Ｕ）上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，...

一种精细结构的加工方法，其中对向压盘（２１１）从退回位置移动到成型位置，并且膜（１）被按压在管芯（５）上并被加工。接下来，第二块（２１１ｂ）从第一块（２１１ａ）分离。因此，对向压盘（２１１）的总热容量通过在冷却时减少对向压盘的体积而被降...

提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备ＧａＮ衬底（１０）的步骤，该ＧａＮ衬底具有反向域（１０ｔ）聚集面积（Ｓ↓［ｔ］ｃｍ↑［２］）与ＧａＮ衬底（１０）的主面（１０ｍ）的总面...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，是通过离子注入法在半导体基板（１０１）的表面上形成杂质的注入区域的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板（１０１）的表面上形成包含ＳｉＯ↓［２］膜（１０７ａ、１０７ｂ）和金属薄膜（１０５...

一起使用ＥＬＯ掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的ＧａＮ晶体。ＥＬＯ掩膜使得ＧａＮ晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料ＳｉＮ、ＳｉＯＮ或ＳｉＯ↓［２］中任一种用于ＥＬＯ掩膜，同时Ｐｔ...

提供一种能够增强衬底ＰＬ强度的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法。在这种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法中，首先，抛光晶片３的表面３ａ（抛光步骤）。其次，清洗晶片３的表面３ａ（第一清洗步骤Ｓ７）。接下来，使用含卤素气体，对晶片３的表面３ａ...

在本发明的ＧａＮ基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材（２３）与润滑剂（２５）的研磨液（２７）供应至平台（１０１），一边利用平台（１０１）与研磨液（２７）研磨ＧａＮ基板（第１研磨工序）。其次，一边将润滑剂（３１）供应至埋入研磨材（２９）...

ＧａＮ衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件。ＧａＮ衬底（３０）的生长面（３０ａ）是相对于ｍ－面或ａ－面离轴定向的平面。亦即，在ＧａＮ衬底（３０）中，生长面（３０ａ）是已被偏离定向的ｍ－面或ａ－面。由于，ｍ－面和ａ－面是非极性面，...

提供了一种Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底，其中当Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底的直径为２英寸时，Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底一个表面上晶粒大小至少为０．２μｍ的粒子数至多为２...

提供了一种Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底，其中当Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底的直径为２英寸时，Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ衬底一个表面上晶粒大小至少为０．２μｍ的粒子数至多为２...

提供高载流子浓度、低破裂发生率的氮化镓衬底和形成氮化镓膜的方法。生成其中载流子浓度为１×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］或以上的氮化镓膜（５２）。最初，将包括ｎ型掺杂剂的氮化镓层（５１）形成到衬底（５０）上。然后，加热形成在衬底（５０）上的...

本发明提供了粘贴有Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层的衬底，由其可生产性能提高的半导体器件，和包含所述粘贴有Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层的衬底的半导体器件。在所述粘贴有Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层的衬底中，Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层和基础衬底被粘贴到一起，其特征在...

一种ＧａＡｓ半导体衬底（１０）包括表面层（１０ａ）。当利用通过Ｘ－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为１０°的条件下测量的Ｇａ原子和Ａｓ原子的３ｄ电子光谱来计算原子比时，该表面层（１０ａ）上所有Ｇａ原子对所有Ａｓ原子的构成原子比（Ｇａ）／...

本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表面上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤（Ｓ１０）、第一抛光步骤（Ｓ２０）和第二抛光步骤（Ｓ３０）...

本发明提供一种Ⅲ族氮化物系半导体发光元件（１１），其中，ｐ型Ａｌ↓［Ｙ］Ｇａ↓［１－Ｙ］Ｎ层（１９）的ｐ型掺杂剂浓度Ｎ↓［ｐ１９］比ｐ型Ａｌ↓［Ｘ］Ｇａ↓［１－Ｘ］Ｎ层（１５）的ｐ型掺杂剂浓度Ｎ↓［ｐ１５］大，因此，ｐ型掺杂剂从ｐ型Ａｌ...

本发明的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎ晶体基板（１２）具有面积为至少１０ｃｍ↑［２］的主平面（１２ｍ）。该主平面（１２ｍ）具有位于距离主平面的外围５ｍｍ内的外侧区域（１２ｗ），和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域（...

ＭＯＳＦＥＴ（３０）设置有ＳｉＣ膜（１１）。ＳｉＣ膜（１１）在其表面上具有刻面，该刻面的一个周期的长度是１００ｎｍ或以上，并且该刻面被用作沟道（１６）。此外，ＭＯＳＦＥＴ（３０）的制造方法包括：形成ＳｉＣ膜（１１）的步骤；在ＳｉＣ膜（１...

提供了在栅绝缘膜（２０）和碳化硅层（１１）之间的界面区中具有低界面态密度的碳化硅半导体器件的制造方法。在４Ｈ－ＳｉＣ衬底（１０）上生长外延生长层（１１），其后执行离子注入以形成作为离子注入层的ｐ阱区（１２）、源区（１３）和ｐ↑［＋］接触...

本发明的目的在在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线（２２）而构成的金属线列（２１）切断结晶块（３），该结晶块（３）包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块（３）及金属线（２２）中至少一方在与金属线（２２）延长方向Ｂ...