一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨ＧａＮ衬底，使翘曲为Ｒ≥５０ｍ。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对ＧａＮ进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现...

本发明提供氮化物半导体发光元件。ＩｎＡｌＧａＮ层（１９）设置在量子阱发光层（１３）与ｎ型氮化镓类半导体层（１５）之间。量子阱发光层（１３）的氧浓度低于ＩｎＡｌＧａＮ层（１９）的氧浓度。量子阱发光层（１３）设置在ｐ型ＡｌＧａＮ半导体层（１...

一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤（Ｓ１）、最佳配合面计算步骤（Ｓ５）以及翘曲计算步骤（Ｓ６）。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤（Ｓ１）之后和最佳配合面计算步骤（Ｓ５）之前还可以包括：噪声去除步骤（Ｓ２）和外...

本发明公开了一种低变形的氮化镓晶体衬底，其包括低位错单晶区（Ｚ）、Ｃ面生长区（Ｙ）、庞大缺陷积聚区（Ｈ）和０．１／ｃｍ↑［２］至１０／ｃｍ↑［２］的ｃ轴粗大核区（Ｆ），低位错单晶区（Ｚ）具有确定的ｃ轴和确定的ａ轴，Ｃ面生长区（Ｙ）具有与...

一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为９５％时的钨多孔体的孔径是０．３μｍ或更大，比表面积为５％时的钨多孔体的孔径是３０μｍ或更小，通过将铁族金属含量降至低于０．０２ｗｔ％可使其导热系...

提供了一种化合物半导体衬底的表面处理方法，一种化合物半导体的制造方法，一种化合物半导体衬底以及一种半导体晶片，涉及通过减小在由化合物半导体所形成的衬底的表面处的杂质浓度，来减小形成在衬底上的层处的杂质浓度。该化合物半导体衬底表面处理方法...

使抗破裂氮化镓衬底和测试并制造这种衬底的方法可用。氮化镓衬底（１０）设有被抛光为镜面磨光的正面（１２）、与正面（１２）相对的衬底侧面上的背面（１４）。在背面（１４）上形成其厚度ｄ是３０μｍ或以下的损坏层（１６）。假定正面（１２）的强度是...

在ＧａＮ晶体衬底（１０）中，与所述晶体生长表面（１０ｃ）相对的后表面（１０ｒ）可以具有满足－５０μｍ≤ｗ↓［（Ｒ）］≤５０μｍ的翘曲ｗ↓［（Ｒ）］，满足Ｒａ↓［（Ｒ）］≤１０μｍ的表面粗糙度Ｒａ↓［（Ｒ）］以及满足Ｒｙ↓［（Ｒ）］≤７５...

一种超导电缆能够以高效率冷却超导导体并具有足够的绝缘强度。提供一种控制电缆中使用的冷却剂的温度的方法。该超导电缆包括绝热管，该绝热管容纳提供有由超导材料制成的超导导体的电缆芯。该电缆芯还提供有放置在超导导体的外圆周的外侧的不良导热管。不...

提供一种处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法，该方法包括步骤：用包含磨粒的抛光浆料抛光Ⅲ族氮化物晶体（１）的表面；其后用抛光液（２７）抛光Ⅲ族氮化物晶体（１）的表面至少一次，并且用抛光液（２７）抛光的每个步骤都使用碱性抛光液或者酸性抛光液作为抛...

提供一种具有与长导线类似的效果的带状超导线，一种用于制造这样的带状超导线的方法，以及一种利用这样的超导线的超导装置。该方法包括：制备带基板的步骤；在带基板上形成中间薄层１２的步骤；在中间薄层上形成从一个端部延伸到另一个端部的超导层的步骤...

一种ＧａＮ晶体衬底，具有其上生长晶体的晶体生长表面（１０ｃ）和与晶体生长表面（１０ｃ）相对的后表面（１０ｒ）。晶体生长表面（１０ｃ）具有至多１０ｎｍ的粗糙度Ｒａ（Ｃ），以及后面表面（１０ｒ）具有至少０．５μｍ和至多１０μｍ的粗糙度Ｒａ（...

本发明提供一种双向场效应晶体管和使用该晶体管的矩阵转换器，其中可以借助单个器件控制双向流动的电流。该双向场效应晶体管包括：半导体衬底（１）；栅极区域，其设置在半导体衬底（１）上，具有平行于衬底（１）的主表面的沟道和用于控制沟道导电性的栅...

提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于０．４ｎｍ的间距在不...

用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体（１）的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒（１６）。磨粒（１６）具有至少－８５０ｋＪ／ｍｏｌ的标准生成自由能作为每１摩尔氧分子的转换值，并具有至少为４的莫氏硬度。该表面处理方法有效地...

本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测...

提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存ＧａＮ衬底的方法、储存的衬底、和半导体器件以及制造该半导体器件的方法。在ＧａＮ衬底储存方法中，ＧａＮ衬底（１）储存在具有１８ｖｏｌ．％或以下的氧浓度和／或１２ｇ／ｍ↑［３］或以下的水蒸汽浓度...

一种金属有机汽化和供给设备，包括：用于保留金属有机材料的贮留容器；连接至贮留容器的起泡气体供给通路，用于将起泡气体供给金属有机材料；连接至贮留容器的金属有机气体供给通路，用于将在贮留容器中产生的金属有机气体和稀释气体供给沉积室；连接至所...

金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部...

本发明公开其上接合有ＧａＮ薄膜的衬底及其制备方法以及基于ＧａＮ的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄ＧａＮ接合膜衬底的方法，包括步骤：在ＧａＮ块状晶体上接合与ＧａＮ类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少０．１μｍ和...